聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點(diǎn)和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]
- 碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多，但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車應(yīng)用場景上使用，還是無法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來理解有以下這些問題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度，且沒有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導(dǎo)致原材料價(jià)格過于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達(dá)1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實(shí)在差太多了
- 寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)[ 09-09 17:05 ]
- 碳化硅，氮化鎵有個(gè)很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，國內(nèi)也叫第三代半導(dǎo)體。它特指禁帶寬度超過2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過4.0eV叫超寬禁帶半導(dǎo)體材料，國內(nèi)叫第四代半導(dǎo)體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國搞制裁的那個(gè)，有意思的是美國只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實(shí)際上是反映了價(jià)電子被束縛強(qiáng)弱程度的一個(gè)物理量，也就是產(chǎn)
- 三種生長SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)[ 09-08 17:45 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級(jí)，生產(chǎn)效率低，無法滿足工業(yè)需求；同時(shí)，固相法制備過程的眾多雜質(zhì)中，N元素的含量一直
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]
- 生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學(xué)氣相沉積法（CVD法） CVD法是通過氣體的高溫反應(yīng)得到超細(xì)、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用[ 09-06 16:39 ]
- 碳化硅晶圓的生產(chǎn)，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進(jìn)Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進(jìn)Lely法為主流。 Lely法，又稱升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內(nèi)置多孔石墨環(huán)），將具有工業(yè)級(jí)純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環(huán)之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產(chǎn)生一系列氣相物質(zhì)比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內(nèi)壁與多孔石墨環(huán)之間存在溫度梯度，這些氣相物質(zhì)在多孔石墨環(huán)內(nèi)壁隨機(jī)生成晶核。但Lely法產(chǎn)率低，晶核難以控制，而且會(huì)形成不同結(jié)構(gòu)，尺寸也
