聯(lián)系金蒙新材料
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結構件制備難點[ 08-17 14:46 ]
- 在IC產(chǎn)業(yè)中，集成電路制造裝備具有極其重要的戰(zhàn)略地位，以光刻機為代表的集成電路關鍵裝備是現(xiàn)代技術高度集成的產(chǎn)物，其設計和制造過程均能體現(xiàn)出包括材料科學與工程、機械加工等在內的諸多相關科學領域的最高水平。集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有輕質高強、高導熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點，且致密均勻無缺陷，還要求零部件具有極高的尺寸精度和尺寸穩(wěn)定性，以保證設備實現(xiàn)超精密運動和控制，因此對材料性能以及制造水平要求非?？量獭? 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高
- 固相燒結碳化娃(SSiC)優(yōu)缺點[ 08-16 14:41 ]
- 固相燒結碳化硅晶界較為“干凈”，高溫強度并不隨溫度的升高而變化，一般在溫度達1600℃強度不發(fā)生變化。固相燒結碳化硅主要缺點是需較高的燒結溫度(>2000℃)，對原材料的純度要求高，燒結體斷裂韌性較低，有較強的裂紋強度敏感性，在結構上表現(xiàn)為晶粒粗大且均勻性差，斷裂模式為典型的穿晶斷裂。 SSiC材質的泵的軸、滑動和密封環(huán)具有長使用壽命的多項優(yōu)勢。在高工作溫度下也具有出色的耐化學性和耐腐蝕性。因此，SSiC是所有需要高耐磨性的領域的最佳陶瓷材料。京瓷可提供定制最大外徑達560毫米的大型精
- 如何實現(xiàn)碳化硅晶圓的高效低損傷拋光？[ 08-15 17:33 ]
- SiC晶型結構特點使得SiC材料具有較高硬度與化學穩(wěn)定性，導致在拋光過程中材料去除率較低，因此探索基于化學機械拋光基本工藝的輔助增效手段，對于實現(xiàn)SiC材料產(chǎn)業(yè)化應用和推廣具有重要的意義。 化學機械拋光輔助增效技術材料去除機理本質是通過輔助增效技術手段來控制SiC表面較軟氧化層的形成并從力學上改善SiC氧化層材料的去除方式。目前拋光中的輔助增效手段主要有等離子輔助、催化劑輔助、紫外光輔助和電場輔助。 01等離子輔助工藝 等離子輔助拋光(PlasmaAssistedPolishing，PAP)工藝是
- SiC晶圓材料主要加工工藝[ 08-13 15:29 ]
- 碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，廣泛應用于半導體、光學鏡面、機械密封等現(xiàn)代工業(yè)領域，許多領域往往對其表面加工質量有較高的要求，SiC的表面平坦化質量直接影響制件性能，決定了制件的成品率。隨著SiC的應用和發(fā)展逐步廣泛和深入，其加工精度要求日益增長。但SiC屬于典型的脆硬性材料，其平坦化加工時在力的作用下易產(chǎn)生微裂紋，亞表層缺陷多，使得該材料面臨加工效率低、加工困難及加工成本居高不下等問題，制約了其大規(guī)模應用和推廣。 目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序
- 天岳先進6英寸導電型碳化硅襯底獲14億訂單[ 08-12 14:25 ]
- 粉體圈消息：近期，天岳先進發(fā)布公告，公司簽署了時長三年(2023-2025)的6英寸導電型碳化硅襯底產(chǎn)品銷售合同，據(jù)測算，預計含稅銷售三年合計金額為人民幣13.93億元。但對于簽約客戶名稱和具體情況，天岳先進本次并未披露。 去年12月30日，天岳先進首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市，據(jù)招股說明書，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導體材料項目，該項目主要用于生產(chǎn)6英寸導電型碳化硅襯底材料，計劃于2026年達產(chǎn)，達產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年。 今年6月，天岳先進在投資者互動平臺表示，他們已成
