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- 碳化硅器件被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”[ 07-19 16:23 ]
- 2018年，特斯拉在Model3電驅(qū)主逆變器上，率先采用了意法半導(dǎo)體供應(yīng)的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開(kāi)始逐漸成為市場(chǎng)發(fā)展的熱點(diǎn)。碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是支撐新能源汽車(chē)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn)，對(duì)整車(chē)的主要技術(shù)指標(biāo)和整體性能有著重要影響。 碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新
- 三氧化二鋁-碳化硅-碳澆注料防氧化技術(shù)研究進(jìn)展[ 07-16 16:48 ]
- 綜述了三氧化二鋁-碳化硅-碳澆注料防氧化技術(shù)的防氧化效果以及對(duì)材料性能、組成和結(jié)構(gòu)的影響，根據(jù)含碳耐火材料的氧化損毀機(jī)理，主要分析了防氧化劑的兩種作用形式即優(yōu)先碳源氧化法和優(yōu)化碳源法。防氧化劑法除了優(yōu)先碳源氧化生成金屬氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，還可以通過(guò)固相反應(yīng)生成液相等物質(zhì)堵塞材料內(nèi)部氣孔提升材料的致密度阻止氧氣的進(jìn)入來(lái)提高防氧化效果，優(yōu)化碳源法則通過(guò)復(fù)合碳源以及在碳源的表面添加涂層達(dá)到一定的防氧化效果。詳細(xì)闡述了3種方法的工藝特點(diǎn)以及目前存在的問(wèn)題，并對(duì)其發(fā)展方向進(jìn)行了展望，為開(kāi)發(fā)新型三氧化二鋁-碳化
- 一張圖：碳化硅這樣提純，能行嗎？[ 07-15 15:40 ]
- 新能源車(chē)用半導(dǎo)體價(jià)值量提升 碳化硅倍受期待[ 07-13 09:12 ]
- 一直以來(lái)，硅是制造半導(dǎo)體芯片最常用的材料，目前90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。究其原因，是硅的儲(chǔ)備量大，成本比較低，并且制備比較簡(jiǎn)單。然而，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。這些限制讓硅基功率器件已經(jīng)漸漸難以滿(mǎn)足新能源車(chē)及高鐵等新興應(yīng)用對(duì)器件高功率及高頻性能的需求。 在這個(gè)背景下，碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導(dǎo)體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度
- 光刻機(jī)用碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件產(chǎn)業(yè)格局[ 07-08 16:42 ]
- 目前全球集成電路制造裝備支出達(dá)到500億美元，其中陶瓷結(jié)構(gòu)件占支出的20%以上。目前IC制造裝備用高端碳化硅陶瓷零部件70%被Kyocera、CoorsTek兩家公司壟斷，剩余部分也被歐美日企業(yè)所占據(jù)。 Kyocera和CoorsTek產(chǎn)品的特點(diǎn)是種類(lèi)齊全、市場(chǎng)覆蓋面廣，以半導(dǎo)體用陶瓷組件為例，CoorsTek提供的精密陶瓷結(jié)構(gòu)件涵蓋了光刻機(jī)專(zhuān)用組件、等離子刻蝕設(shè)備專(zhuān)用組件、PVD/CVD專(zhuān)用組件、離子注入設(shè)備專(zhuān)用組件、晶片吸附固定傳輸專(zhuān)用組件等一系列產(chǎn)品；Kyocera則提供光刻機(jī)、晶圓制造設(shè)備、刻蝕機(jī)、沉
