聯(lián)系金蒙新材料
- C/SiC陶瓷基復合材料應(yīng)用[ 08-29 17:21 ]
- 碳纖維不僅具有密度低、比強度高、耐磨、耐腐蝕、導電、導熱、摩擦系數(shù)低等特性，而且還具備十分優(yōu)異的高溫力學性能，其在惰性氣氛、2000℃以上環(huán)境中，力學性能仍然不下降。但其高溫抗氧化性較差，因此通常與金屬、陶瓷、樹脂等復合，制備應(yīng)用于航空航天、軍事工業(yè)等尖端技術(shù)領(lǐng)域的先進復合材料。 在熱結(jié)構(gòu)陶瓷基復合材料領(lǐng)域中，碳化硅以其優(yōu)異的高溫力學性能（強度、抗氧化性、抗蠕變性等）、低的熱膨脹系數(shù)和摩擦系數(shù)、優(yōu)良的導熱和導電性，成為基體材料的主要候選之一。然而SiC陶瓷的缺點是脆性較大。 C/SiC陶瓷基復合材料通過
- 牛津儀器推出新型SiC外延襯底化學機械拋光（CMP）解決方案[ 08-27 16:47 ]
- 據(jù)粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術(shù)公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學機械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定。 CMP多年來一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當前滿足SiC需求增長十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠的CMP流程會對環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光
- 晶盛機電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 08-26 17:05 ]
- 8月12日消息，經(jīng)過晶體實驗室研發(fā)團隊半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標志著晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代，同時這也是晶盛在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得的又一標志性成果。 據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。 在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長過程中多個難點問題，比如溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等等。 此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛
- 哈爾濱科友半導體6英寸碳化硅襯底正式投產(chǎn)[ 08-25 11:37 ]
- 據(jù)粉體圈消息：8月18日，位于哈爾濱新區(qū)，投資10億元建設(shè)的科友第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期正式投產(chǎn)，預計年底全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)能10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。 據(jù)悉，哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（科友半導體）成立于2018年，是一家專注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術(shù)企業(yè)。去年7月，科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目正式開工建設(shè)。主要建設(shè)中俄第三代半導體研究院、中外聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新中心、科友半導體襯底制備中心、科友半導體高端裝備制造中心、國際
- 士蘭微啟動6吋（150mm）SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目[ 08-24 10:28 ]
- 據(jù)粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布對外投資進展公告，將啟動化合物半導體第二期建設(shè)，即實施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”，擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司簽署了《關(guān)于化合物半導體項目之投資合作協(xié)議》，雙方共同投資設(shè)立了廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（士蘭明鎵），在廈門
