碳化硅的長(zhǎng)晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。

其中PVT比較主流，優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，可靠，成本可控。CVD對(duì)設(shè)備要求太高，價(jià)格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會(huì)用這個(gè)方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時(shí)間積累，日本公司不少專注于這個(gè)路線。

以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長(zhǎng)速度只有硅材料生長(zhǎng)速度的1/100都不到，144小時(shí)只有2cm左右的厚度，實(shí)在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長(zhǎng)晶爐數(shù)量堆。

目前國(guó)外日新技研和PVATepla的長(zhǎng)晶爐基本要賣到300萬(wàn)左右一臺(tái)。國(guó)內(nèi)很多公司比如露笑，東尼，晶盛機(jī)電，這些年經(jīng)過(guò)技術(shù)改良和成本控制后，能做到150-200萬(wàn)一臺(tái)甚至更便宜的價(jià)格，這個(gè)價(jià)格基本也能接受。

其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高達(dá)9.3是高于藍(lán)寶石僅次于金剛石的，是最堅(jiān)硬的一種物質(zhì)，因此切磨拋加工帶來(lái)巨大的困難。

2cm厚度的碳化硅晶錠，現(xiàn)有技術(shù)完全切開也需要至少100小時(shí)左右，相當(dāng)費(fèi)時(shí)間。鋸切效率高，但是破片率高，線切效果稍好，但是效率很低。

切磨拋設(shè)備日本高鳥，永安有不少新設(shè)備上線，從業(yè)內(nèi)反饋效果還行，但是日本公司都有個(gè)通病，不太愿意大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，因此這些設(shè)備誰(shuí)買到誰(shuí)就能先把產(chǎn)能擴(kuò)出來(lái)。

英飛凌曾經(jīng)花了1.24億歐元收購(gòu)一家做碳化硅冷切割（coldspitl）技術(shù)的公司Silecrta，以希望用冷切割技術(shù)，高效率低成本得到最多的碳化硅晶片。

有人說(shuō)這是激光切割技術(shù)，作者研究后發(fā)現(xiàn)應(yīng)該不是激光切割，而是類似離子注入法和做SOI硅片的技術(shù)比較接近的剝離技術(shù)。

碳化硅透光率很高，激光切并不合適，而且激光切割設(shè)備相當(dāng)昂貴，當(dāng)然離子注入法剝離也不簡(jiǎn)單，現(xiàn)階段最現(xiàn)實(shí)的還是線切。

切割良率就真正考驗(yàn)各家水準(zhǔn)了，同樣3cm晶錠厚度，最終得片率是30片還是33片還是35片？每多一片都是利潤(rùn)！

對(duì)于磨拋而言，也有不少技術(shù)難點(diǎn)還未完全攻克，但是要比切略簡(jiǎn)單，無(wú)非是慢一點(diǎn)。由于碳化硅硬度和藍(lán)寶石比較接近，因此藍(lán)寶石的粗拋設(shè)備以及SLurry配方略經(jīng)改良，是可以用的，細(xì)拋就要上新設(shè)備了，但是這部分設(shè)備占整體成本并不不高，大體可控。