聯(lián)系金蒙新材料
- AMB陶瓷基板市場(chǎng)潛力巨大[ 09-26 15:55 ]
- 據(jù)了解，目前在AMB領(lǐng)域，比較領(lǐng)先的企業(yè)主要來(lái)自歐、日、韓，如德國(guó)的羅杰斯（RogersCorporation）、賀利氏科技集團(tuán)，日本的同和控股（DOWA）、礙子株式會(huì)社（NGK）、電化株式會(huì)社（Denka）、京瓷株式會(huì)社（KYOCERACorporation）、東芝高新材料公司，韓國(guó)的KCC集團(tuán)、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新機(jī)遇，部分國(guó)際企業(yè)已在計(jì)劃對(duì)AMB基板進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，如東芝高新材料公司已于去年開(kāi)設(shè)大分工廠，開(kāi)始生產(chǎn)氮化硅陶瓷基板；今年2月，羅杰斯官宣布擴(kuò)大德國(guó)埃申巴赫工廠AMB基板產(chǎn)能。
- AMB陶瓷基板對(duì)SiC芯片的配套優(yōu)勢(shì)明顯[ 09-24 17:52 ]
- 據(jù)了解，AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導(dǎo)熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過(guò)程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對(duì)SiC上車并改善新能源汽車應(yīng)用有明顯的提升效果。 不過(guò)，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實(shí)現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對(duì)技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進(jìn)一步完善，這使得該技術(shù)目前的實(shí)現(xiàn)成本還比較高，“AMB被認(rèn)為是Si
- 國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離[ 09-22 16:16 ]
- 碳化硅生產(chǎn)過(guò)程主要包括碳化硅單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件三大環(huán)節(jié)。 我們把SiC器件發(fā)展分為三個(gè)發(fā)展階段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽車開(kāi)始試水搭載SiC功率器件；2022-2023年為拐點(diǎn)期，SiC在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)達(dá)到了批量生產(chǎn)的臨界區(qū)域，并且充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用逐步采用SIC器件；2024-2026年為爆發(fā)期，SIC加速滲透，在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等得到廣泛應(yīng)用。 當(dāng)前，碳化硅MOS
- 國(guó)內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)[ 09-21 15:14 ]
- 當(dāng)前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當(dāng)前6英寸碳化硅襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過(guò)渡。在未來(lái)幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會(huì)逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問(wèn)題，其未來(lái)降價(jià)空間有限。此外，雖然當(dāng)前國(guó)際先進(jìn)廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進(jìn)入碳化硅功率器件制造市場(chǎng)將是一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程，隨著8英寸碳化硅外延技術(shù)的逐漸成熟，未來(lái)可能會(huì)出現(xiàn)8英寸碳化硅功率
- 國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)[ 09-20 16:11 ]
- 當(dāng)前，國(guó)內(nèi)廠商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標(biāo)與國(guó)際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲(chǔ)備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進(jìn)程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級(jí)改造用于生產(chǎn)Si
