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聯(lián)系金蒙新材料
- 中車時(shí)代電氣發(fā)布國(guó)內(nèi)首款基于自主碳化硅的電驅(qū)系統(tǒng)[ 01-06 10:52 ]
- 作為新能源汽車“三電”系統(tǒng)之一，電驅(qū)系統(tǒng)是新能源汽車的動(dòng)力源，是不可或缺的核心零部件。碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，基于碳化硅的解決方案可使系統(tǒng)效率更高、重量更輕，且結(jié)構(gòu)更緊湊。12月26日，由中車時(shí)代電氣C-Car平臺(tái)孵化的我國(guó)首款基于自主碳化硅研制的大功率電驅(qū)系統(tǒng)C-Power220s正式發(fā)布，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。 中車時(shí)代電氣汽車事業(yè)部總經(jīng)理何亞屏表示：“新能源汽車是碳化硅最重要的下游領(lǐng)域，今天發(fā)布的C-Power220s電驅(qū)系統(tǒng)就是采用
- 長(zhǎng)城汽車入股同光半導(dǎo)體，將推動(dòng)碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)化[ 01-05 10:48 ]
- 12月29日，長(zhǎng)城汽車股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)城汽車”）與河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“同光股份”）簽署戰(zhàn)略投資協(xié)議，正式進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)。此次，長(zhǎng)城汽車作為領(lǐng)投方入股同光股份，將推進(jìn)后者的碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展，聚焦第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅在新能源汽車產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用，推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體材料與芯片的產(chǎn)業(yè)化。 據(jù)了解，同光股份位于保定市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，于2012年成立，是中科院半導(dǎo)體所的合作單位，主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。主要產(chǎn)品包括4英
- 國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底龍頭山東天岳科創(chuàng)板上市[ 01-04 10:44 ]
- 12月30日，國(guó)內(nèi)碳化硅襯底材料企業(yè)山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司公告首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市。本次發(fā)行價(jià)格82.79元/股，預(yù)計(jì)募集資355757.7783萬元（約35.6億元）,高于此前招股意向書中披露的200000萬元(20億元)。 9月7日，天岳先進(jìn)首發(fā)申請(qǐng)獲上交所上市委員會(huì)通過，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，以提高公司碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化能力。招股書中提到，全球碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)快速發(fā)展并已迎來爆發(fā)期，國(guó)際巨頭紛紛加大投入實(shí)施擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，為了追趕與頭部企業(yè)之間在產(chǎn)能上的差距，山東
- 碳化硅反射鏡的制備與加工[ 01-03 08:52 ]
- 把一塊粗糙的、灰黑的碳化硅陶瓷塊鏡坯打造為光可鑒人的反射鏡，變化之大完全不亞于丑小鴨變天鵝。如何在得到較高表面質(zhì)量的同時(shí)實(shí)現(xiàn)快速加工，則是材料學(xué)界一直以來的研究重點(diǎn)。 1.鏡坯的制造 制備SiC反射鏡坯的工藝有許多種，除了熱壓燒結(jié)、氣相沉積外，最有應(yīng)用價(jià)值的是反應(yīng)燒結(jié)法，具有成本低和可實(shí)現(xiàn)凈尺寸燒結(jié)等優(yōu)點(diǎn)。 反應(yīng)燒結(jié)法流程為：利用SiC粉制得所需形狀的坯體，然后將該坯體在Si氣氛下燒結(jié)。整個(gè)工藝中關(guān)鍵點(diǎn)有以下幾個(gè)：①燒結(jié)體中盡可能少氣孔和裂紋；③坯體具有輕量化結(jié)構(gòu)。 2.銑磨粗拋 剛燒
- 硼、碳和鋁燒結(jié)助劑對(duì)SiC陶瓷燒結(jié)的影響[ 12-30 14:42 ]
- 研究發(fā)現(xiàn)，SiC陶瓷燒結(jié)時(shí)可加入B、C、Al來實(shí)現(xiàn)致密化，B系與C系燒結(jié)助劑的添加能夠降低SiC晶界能與表面能的值，增強(qiáng)擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，而Al系燒結(jié)助劑可以以固溶的方式活化晶格，促進(jìn)致密化進(jìn)行。 對(duì)于無壓或熱壓燒結(jié)SiC，在不使用燒結(jié)助劑情況下基本難以實(shí)現(xiàn)致密燒結(jié)，但燒結(jié)助劑加入不當(dāng)又會(huì)使材料性能惡化。SiC陶瓷的力學(xué)性能受游離C的分布影響很大，而B的分布又會(huì)使游離C的晶粒由等軸狀生長(zhǎng)為長(zhǎng)柱狀，起到界間強(qiáng)化的作用。另外，溫度的升高會(huì)促進(jìn)基體晶粒的多邊形化，但過大的基體晶粒尺寸又會(huì)對(duì)晶界處游離C的生長(zhǎng)產(chǎn)生抑制作用
