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    碳化硅陶瓷材料的防彈原理是什么[ 02-10 08:48 ]
    在大家的印象里,陶瓷是易碎品。但經(jīng)過現(xiàn)代科技加工后,碳化硅陶瓷“搖身一變”,成為了一種堅硬、高強度的新材料,尤其是在對材料有特殊物理性能要求的防彈領(lǐng)域,碳化硅陶瓷更是大放異彩,成為非常熱門的防彈材料。 裝甲防護的基本原理是消耗射彈能量、使射彈減速并達到無害。絕大部分傳統(tǒng)的工程材料,如金屬材料通過結(jié)構(gòu)發(fā)生塑性變形來吸收能量,而碳化硅陶瓷材料則是通過微破碎過程吸收能量。 碳化硅防彈陶瓷的吸能過程大致可分為3個階段。(1)初始撞擊階段:彈丸撞擊陶瓷表面,使彈頭變鈍,在陶瓷表面粉碎形成細
    不同防彈陶瓷材料性能對比[ 02-09 08:45 ]
    自21世紀以來,防彈陶瓷發(fā)展迅速,種類較多,包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等,其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應(yīng)用最廣。氧化鋁陶瓷密度最高,但硬度相對較低,加工門檻較低,價格較低,依據(jù)純度分為85/90/95/99氧化鋁陶瓷,相應(yīng)的硬度和價格也依次增高。 碳化硅陶瓷密度相對較低,硬度較高,屬于性價比較高的結(jié)構(gòu)陶瓷,因此也是目前國內(nèi)應(yīng)用最廣的防彈陶瓷。 碳化硼陶瓷在這幾種陶瓷中密度最低,硬度最高,但同時其對加工工藝的要求也很高,需要高溫高壓燒結(jié),因而成
    APEX微技術(shù)推出SA310碳化硅無刷直流電機驅(qū)動器[ 02-08 10:10 ]
     Q問:在沒有散熱器的情況下,SA310 3相SiC模塊能做什么? A在空間非常寶貴的情況下,SA310可通過自己的鎳鋼合金外殼排出內(nèi)部功耗產(chǎn)生的熱量。下方的圖來自SA310數(shù)據(jù)表,表明了在沒有散熱器的SA310的運行點下,供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率的限制。 在供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率這三個參數(shù)中,一個參數(shù)越高,其他兩個參數(shù)就必須越低,才能將內(nèi)部功耗保持在安全程度內(nèi)(或者說,才能讓SA310外殼和結(jié)溫保持在數(shù)據(jù)表內(nèi)的最大額定值以下)。該圖直接表明,在SA310沒有散熱器的情況下,供電電流(差
    SiC器件IGBT模塊是否有必要提高結(jié)溫[ 02-06 09:51 ]
    眾所周知,SiC材料具有許多重要特性:其擊穿電場強度是硅材料的10倍左右,最高結(jié)溫可達600℃……因此,SiC器件結(jié)構(gòu)具有天生的耐高溫能力,在真空條件下耐壓甚至可達400至600℃。SiCMOSFET自身損耗小,發(fā)熱量小,自身溫升相對較小。“SiC的導(dǎo)熱率比硅更好,(大約是硅的三倍),熔點更高(2830℃,而硅是1410℃),所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以,SiC更適合高溫工作環(huán)境。 2010年5月,一家頭部公司稱其新技術(shù)顯著提高了IGBT模
    鋁碳化硅(AlSiC)材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]
    鋁碳化硅(AlSiC)材料具有以下性能特性: 1)AlSiC具有高導(dǎo)熱率(170~200W/mK)和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)(6.5~9.5×10-6/K),可提升器件散熱性能的同時,其熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配,能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上; 2)AlSiC是復(fù)合材料,其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整,因此電子產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計,這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的; 3)AlSiC的密度與鋁相當(dāng),比銅
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