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    碳化硅陶瓷凝膠注模成型結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)制備技術(shù)[ 01-16 15:35 ]
    凝膠注模成型技術(shù)是由OMATETE等發(fā)明的一種近凈尺寸成型技術(shù),可實現(xiàn)大尺寸、復(fù)雜結(jié)構(gòu)陶瓷制品的近凈尺寸成型,其成型時間短,模具制備簡單,尺寸精度高,制作成本低。該工藝的基本原理是在低黏度高固含量的陶瓷漿料中加入有機(jī)單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑和分散劑等,在引發(fā)劑的作用下有機(jī)單體和交聯(lián)劑聚合形成空間三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),使?jié){料中懸浮的陶瓷顆粒原位固化成型,并按照模具設(shè)計形狀固化成相應(yīng)的坯體。該坯體經(jīng)脫模、干燥、排膠、燒結(jié)得到陶瓷制品毛坯。 凝膠注模成型結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)工藝可以實現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷的制備。通常,燒結(jié)前后碳化硅坯體
    碳化硅陶瓷冷等靜壓成型結(jié)合無壓燒結(jié)制備技術(shù)[ 01-15 15:33 ]
    冷等靜壓技術(shù)是在常溫下,通過用橡膠或塑料作包套模具材料,以液體為壓力介質(zhì),主要用以粉體材料成型,為進(jìn)一步燒結(jié)或熱等靜壓工序提供坯體。然后對成型坯體進(jìn)行機(jī)加工得到陶瓷產(chǎn)品素坯,再進(jìn)行無壓燒結(jié)得到復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷的一種技術(shù)。 采用冷等靜壓成型結(jié)合無壓燒結(jié)工藝可獲得密度均勻、熱導(dǎo)率高、力學(xué)性能優(yōu)異的復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷,該工藝適用于比剛度、耐磨損、耐化學(xué)腐蝕、高溫強(qiáng)度等性能要求高的碳化硅產(chǎn)品的制備。 美爾森布斯泰克公司采用冷等靜壓成型結(jié)合無壓燒結(jié)工藝制備了太空反射鏡、激光振鏡、反應(yīng)器等多種復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷制
    復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷未來發(fā)展領(lǐng)域[ 01-14 14:31 ]
    隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅陶瓷的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步拓寬,但特殊的使用工況也對SiC陶瓷制品的形狀復(fù)雜性提出了更高的要求。例如:在航空航天領(lǐng)域,為了提高光學(xué)系統(tǒng)的分辨率,碳化硅陶瓷反射鏡必須滿足口徑大、質(zhì)量小的要求,因此反射鏡的減重設(shè)計越來越復(fù)雜;在集成電路領(lǐng)域,碳化硅陶瓷作為集成電路裝備關(guān)鍵組成部分,其結(jié)構(gòu)復(fù)雜,精度要求極高;在化工醫(yī)藥領(lǐng)域,碳化硅陶瓷可以用于制作能進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的三維結(jié)構(gòu)微反應(yīng)器元件,結(jié)構(gòu)極其復(fù)雜。 由此可見,復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅陶瓷在現(xiàn)代科技的發(fā)展中發(fā)揮著越來越重要的作用。SiC陶瓷常用的燒結(jié)工藝
    國內(nèi)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料(CMC)整體渦輪葉盤首次完成飛行試驗[ 01-13 14:27 ]
    據(jù)中國航發(fā)動力研究所報道,國內(nèi)科研機(jī)構(gòu)研發(fā)的陶瓷基復(fù)合材料(CMC)整體渦輪葉盤在株洲成功完成了首次飛行試驗驗證,這也是國內(nèi)陶瓷基復(fù)合材料轉(zhuǎn)子件首次配裝平臺的空中飛行試驗。 陶瓷基復(fù)合材料是未來航空發(fā)動機(jī)最有前景的材料之一,是提高航空發(fā)動機(jī)性能的關(guān)鍵材料。一般認(rèn)為當(dāng)發(fā)動機(jī)推得比達(dá)到或者超過15的時候,就需要采用陶瓷基復(fù)合材料這樣的先進(jìn)材料確保發(fā)動機(jī)性能達(dá)標(biāo)。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,第6代戰(zhàn)斗機(jī)采用的高推重比發(fā)動機(jī)渦輪前溫度將會突破2000度,這樣就對高溫渦輪提出了更高的要求。制造耐溫度能力更強(qiáng)、重量更輕、使用壽命更
    新加坡與法國Soitec合作開發(fā)200毫米低成本碳化硅半導(dǎo)體器件[ 01-12 14:24 ]
    1月10日,新加坡科學(xué)、技術(shù)和研究機(jī)構(gòu) (A*STAR)旗下微電子研究所 (IME)和法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布開展研究合作,共同開發(fā)滿足電動汽車和高壓電子設(shè)備應(yīng)用的碳化硅器件。具體而言則是IME采用Soitec專有技術(shù)生產(chǎn)的200毫米直徑碳化硅襯底開發(fā)外延及MOSFET,并以此建立基準(zhǔn)展示優(yōu)勢。 法國Soitec利用其智能切割技術(shù)(SmartCut),可生產(chǎn)高性能、低能耗和低成本的150mm和200mm直徑碳化硅晶圓襯底。SmartCut技術(shù)是在低質(zhì)量的載體上粘貼高質(zhì)量的單晶碳化硅,
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