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- 碳化硅的神奇之處，低品質(zhì)也有大用處！[ 11-29 15:07 ]
- 5G通信、新能源汽車(chē)等新興產(chǎn)業(yè)對(duì)碳化硅材料將產(chǎn)生巨大需求，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可引領(lǐng)帶動(dòng)原材料與設(shè)備兩個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)。尤其是今年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要”提出我國(guó)將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，這無(wú)疑會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 眾所周知，碳化硅有四大應(yīng)用，即半導(dǎo)體、陶瓷、耐火材料、磨具！其中半導(dǎo)體對(duì)碳化硅的品質(zhì)要求是最高的，工藝也是最難的。陶瓷、耐火材料、磨具對(duì)碳化硅的純度、粒度、形貌等也有一定的品質(zhì)要求
- 第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]
- 眾所周知，采用第三代半導(dǎo)體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車(chē)載應(yīng)用方面已經(jīng)開(kāi)始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動(dòng)車(chē)的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導(dǎo)體材料GaN設(shè)計(jì)的電源能夠使效率提高3到5個(gè)點(diǎn)，從而節(jié)省全國(guó)千分之三到千分之五的電力消耗。這對(duì)于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可
- GaN和SiC材料的技術(shù)難點(diǎn)和特點(diǎn)[ 11-29 14:59 ]
- 目前，第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場(chǎng)認(rèn)可和高度關(guān)注。在功率半導(dǎo)體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導(dǎo)體材料SiC的技術(shù)難點(diǎn)主要在于襯底缺陷的控制。當(dāng)前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠(chǎng)商生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)想要突破還需要相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間。 同時(shí)第三代半導(dǎo)體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動(dòng)大導(dǎo)致良率偏低以及主要材料供應(yīng)被壟斷，甚至推導(dǎo)到市場(chǎng)價(jià)格一直居高不下，目前只限定在部分應(yīng)用市場(chǎng)。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點(diǎn)而言，第三代半導(dǎo)體材料SiC的應(yīng)用已經(jīng)
- 初識(shí)陶瓷耐磨材料--碳化硅[ 11-29 14:54 ]
- 目前常用的耐磨材料主要有金屬耐磨材料、高分子耐磨材料、陶瓷耐磨材料等。金屬耐磨材料具有較高的強(qiáng)度、較高的硬度、較高的韌性和較高的耐磨損性等一系列優(yōu)異的特性，經(jīng)歷了高錳鋼、普通白口鑄鐵、鎳硬鑄鐵到高鉻鑄鐵的幾個(gè)階段。到目前為止，性能最優(yōu)異的有耐磨鋼、耐磨鑄鐵兩大類(lèi)。其中耐磨鋼除了傳統(tǒng)的奧氏體錳鋼及改性高錳鋼、中錳鋼以外，根據(jù)碳含量的不同又通常分為中碳、中高碳、高碳合金耐磨鋼；根據(jù)合金元素含量的不同又分為低合金、中合金及高合金耐磨鋼；根據(jù)組織結(jié)構(gòu)的不同又分為奧氏體、貝氏體、馬氏體耐磨鋼。耐磨鑄鐵中的普通白口鑄鐵、低碳白
- 碳化硅耐磨材料的結(jié)構(gòu)與性能[ 11-29 14:52 ]
- 自從美國(guó)人阿奇遜在1891年偶然發(fā)現(xiàn)SiC材料以來(lái)，SiC已成為人們廣泛利用的非氧化物陶瓷材料。SiC是以共價(jià)鍵為主的共價(jià)化合物，由于硅與碳兩元素在形成SiC晶體時(shí)，SiC原子中S→P電子的遷移導(dǎo)致能量穩(wěn)定的sp3雜化排列，從而形成具有金剛石結(jié)構(gòu)的SiC。因此它的基本單位為四面體。所有SiC均由SiC四面體堆積而成，所不同的是平行結(jié)合還是反平行結(jié)合。SiC大概有100種變體，如а-SiC、β-SiC、4H-SiC、15R-SiC和6H-SiC等，所有這些變形體結(jié)構(gòu)又可分為立方晶系、六方晶系、和菱
