哈爾濱科友半導體6英寸碳化硅襯底正式投產(chǎn)[ 08-25 11:37 ]

據(jù)粉體圈消息：8月18日，位于哈爾濱新區(qū)，投資10億元建設的科友第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期正式投產(chǎn)，預計年底全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)能10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。 據(jù)悉，哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司（科友半導體）成立于2018年，是一家專注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設計、技術轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術企業(yè)。去年7月，科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目正式開工建設。主要建設中俄第三代半導體研究院、中外聯(lián)合技術創(chuàng)新中心、科友半導體襯底制備中心、科友半導體高端裝備制造中心、國際

士蘭微啟動6吋（150mm）SiC功率器件生產(chǎn)線建設項目[ 08-24 10:28 ]

據(jù)粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布對外投資進展公告，將啟動化合物半導體第二期建設，即實施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設項目”，擬建設一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項目總投資為15億元，建設周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司簽署了《關于化合物半導體項目之投資合作協(xié)議》，雙方共同投資設立了廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（士蘭明鎵），在廈門

集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件制備難點[ 08-17 14:46 ]

在IC產(chǎn)業(yè)中，集成電路制造裝備具有極其重要的戰(zhàn)略地位，以光刻機為代表的集成電路關鍵裝備是現(xiàn)代技術高度集成的產(chǎn)物，其設計和制造過程均能體現(xiàn)出包括材料科學與工程、機械加工等在內(nèi)的諸多相關科學領域的最高水平。集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有輕質(zhì)高強、高導熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點，且致密均勻無缺陷，還要求零部件具有極高的尺寸精度和尺寸穩(wěn)定性，以保證設備實現(xiàn)超精密運動和控制，因此對材料性能以及制造水平要求非常苛刻。 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高

天岳先進6英寸導電型碳化硅襯底獲14億訂單[ 08-12 14:25 ]

粉體圈消息：近期，天岳先進發(fā)布公告，公司簽署了時長三年(2023-2025)的6英寸導電型碳化硅襯底產(chǎn)品銷售合同，據(jù)測算，預計含稅銷售三年合計金額為人民幣13.93億元。但對于簽約客戶名稱和具體情況，天岳先進本次并未披露。 去年12月30日，天岳先進首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市，據(jù)招股說明書，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導體材料項目，該項目主要用于生產(chǎn)6英寸導電型碳化硅襯底材料，計劃于2026年達產(chǎn)，達產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年。 今年6月，天岳先進在投資者互動平臺表示，他們已成

2022車用碳化硅器件市場規(guī)模有望突破10億美元[ 08-11 14:22 ]

中國粉體網(wǎng)訊 據(jù)研究機構(gòu)TrendForce預測，隨著越來越多車企開始導入碳化硅功率器件，2022年這一市場規(guī)模有望達到10.7億美元，2026年將進一步攀升至39.4億美元。 TrendForce表示，目前碳化硅功率器件份額主要集中于歐美日IDM大廠，如意法半導體、安森美、Wolfspeed、英飛凌、羅姆，這些巨頭目前還正在積極向上游襯底材料環(huán)節(jié)布局，已試圖進一步降低成本，提高碳化硅器件性價比和供貨穩(wěn)定性，未來隨著襯底材料制備、加工技術進步，模組設計、封裝工藝迭代，碳化硅器件有望從高端車型逐漸滲透