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AMB陶瓷基板對(duì)SiC芯片的配套優(yōu)勢(shì)明顯[ 09-24 17:52 ]
據(jù)了解,AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間,要大幅高于DBC工藝的15N/mm,更適合精密度高的陶瓷基板電路板,這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性,導(dǎo)熱率為DBC氧化鋁的3倍以上,且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻,能提升電池效率,對(duì)SiC上車并改善新能源汽車應(yīng)用有明顯的提升效果。 不過,AMB工藝也還存在一些短板,其技術(shù)實(shí)現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多,對(duì)技術(shù)要求高,且在良率、材料等方面還有待進(jìn)一步完善,這使得該技術(shù)目前的實(shí)現(xiàn)成本還比較高,“AMB被認(rèn)為是Si
碳化硅襯底領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國(guó)內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國(guó)外有所差距,但國(guó)內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代,8英寸晶圓也在研制過程中,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程講持續(xù)突破。 碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測(cè)試四個(gè)部分,分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%,由于具備晶體生長(zhǎng)過程繁瑣,晶圓切割困難等特點(diǎn),碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
Wolfspeed宣布斥巨資擴(kuò)產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能[ 09-15 16:27 ]
9月9日,碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed宣布將在北卡羅來(lái)納州投建200mm(8吋)碳化硅晶圓項(xiàng)目,一期投資13億美元,預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn);二期預(yù)計(jì)投資48億美元,到2030年投產(chǎn),投資目標(biāo)是使Wolfspeed達(dá)到目前產(chǎn)能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示,碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運(yùn)行,電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍,基于碳化硅的芯片已在電動(dòng)汽車中找到一席之地,它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動(dòng)的電機(jī)。L
碳化硅器件工藝難點(diǎn)在哪里?[ 09-14 17:19 ]
襯底片完了之后就是長(zhǎng)外延,外延之后就是一系列的光刻,刻蝕,涂膠,沉積,清洗,離子注入等工藝,和硅工藝基本一致,然后就是后道的晶圓切die,封裝測(cè)試等,基本流程和硅差不多。 其中長(zhǎng)外延,光刻膠,背面退火,刻蝕,以及氧化柵極工藝區(qū)別,歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價(jià)格也很便宜國(guó)產(chǎn)的大約400-500萬(wàn)一臺(tái)(8英寸的);碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD,且價(jià)格非常貴,基本要800-1500萬(wàn)人民幣一臺(tái),而且產(chǎn)能很低,一臺(tái)爐子一個(gè)月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國(guó)外
為什么碳化硅晶圓成本高?[ 09-13 16:14 ]
碳化硅的長(zhǎng)晶技術(shù)大致有三種,PVT物理氣相傳輸法,HT-CVD高溫氣相沉積法,以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流,優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單,可靠,成本可控。CVD對(duì)設(shè)備要求太高,價(jià)格很貴,只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會(huì)用這個(gè)方法;LPE溶液法能做天然P型襯底,但是缺陷很難控制,還需要時(shí)間積累,日本公司不少專注于這個(gè)路線。 以PVT法為例,這種方案下碳化硅生長(zhǎng)速度只有硅材料生長(zhǎng)速度的1/100都不到,144小時(shí)只有2cm左右的厚度,實(shí)在是太慢了,要想獲得更多的產(chǎn)量,只能靠長(zhǎng)晶爐數(shù)量堆。 目前國(guó)外日新技研和PVATe
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