中科鋼研高純碳化硅項(xiàng)目及高端裝備項(xiàng)目開工[ 12-21 10:07 ]

12月18日，中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項(xiàng)目開工儀式在山東菏澤舉行。 據(jù)悉，集中開工的兩個(gè)項(xiàng)目采用國際一流標(biāo)準(zhǔn)，建設(shè)智能高端裝備和高純碳化硅粉新材料兩個(gè)“總部+生產(chǎn)+研發(fā)”三合一項(xiàng)目，投資額均超過10億元。早前披露信息顯示，2018年開工總投資10億元的山東萊西中科鋼研半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)年內(nèi)投產(chǎn)，全部達(dá)產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片、5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。菏澤項(xiàng)目無疑是該項(xiàng)目原料就近供給的有力支撐。 中科鋼研擁有先進(jìn)的4／8英寸升華法碳

博世開啟碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計(jì)劃[ 12-18 14:59 ]

12月3日，博世中國官方發(fā)布消息稱，經(jīng)過多年的研發(fā)，博世目前準(zhǔn)備開始大規(guī)模量產(chǎn)由碳化硅這一創(chuàng)新材料制成的功率半導(dǎo)體，以提供給全球各大汽車生產(chǎn)商。未來，越來越多的量產(chǎn)車將搭載博世生產(chǎn)的碳化硅芯片。“碳化硅半導(dǎo)體擁有廣闊的發(fā)展前景，博世希望成為全球領(lǐng)先的電動(dòng)出行碳化硅芯片生產(chǎn)供應(yīng)商。"博世集團(tuán)董事會成員HaraldKroeger表示。 博世于兩年前宣布將繼續(xù)推進(jìn)碳化硅芯片研發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，博世自主開發(fā)了極為復(fù)雜的制造工藝流程，并于2021年初開始生產(chǎn)用于客戶驗(yàn)證的樣品。&ldq

3D打印碳化硅陶瓷成功用于紅外焊接[ 12-18 14:56 ]

近日，賽瑯泰克（CeramTec）宣布其3D打印先進(jìn)陶瓷已成功投入使用，比如其反應(yīng)燒結(jié)（滲硅）碳化硅陶瓷（SiSiC）成功用于塑料焊接設(shè)備的輻射源。 德國塑料焊接設(shè)備商PolyMergeGmbH開發(fā)塑料紅外焊接系統(tǒng)，該系統(tǒng)是采用非接觸式的加熱方法對塑料工件中止加熱，兩個(gè)待焊接的零件表面在紅外線的映照下可疾速凝聚，經(jīng)壓合冷卻后即粘接在一同，并可獲得極高的焊接強(qiáng)度。碳化硅陶瓷兼具高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性以及高性能陶瓷的高硬度和耐化學(xué)腐蝕，因此被用作紅外焊接輻射源材料。 但是，紅外焊接系統(tǒng)的核心輻射源必須針對特定產(chǎn)品

碳化硅基LED照明技術(shù)普及對減少碳排放具有重要意義[ 12-16 09:33 ]

LED光電器件的核心材料碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)及應(yīng)用正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。碳化硅LED照明設(shè)備能將原LED燈使用數(shù)量下降1/3，成本下降40～50%，而亮度卻提高兩倍，導(dǎo)熱能力提高10倍以上。根據(jù)美國能源部分析，美國廣泛采用LED照明技術(shù)后，可以少建133個(gè)燃煤電廠，同時(shí)減少2.58億t溫室氣體的排放，其節(jié)約的電能可供給1200萬個(gè)美國家庭使用一年。中國和美國能源消耗位居世界前兩位，我國若普及碳化硅基LED照明技術(shù)，對減少我國煤炭的消耗、減少CO2排放具有重要意義。 鑒于碳化硅材料

碳化硅功率器件在新型輸電系統(tǒng)應(yīng)用需求[ 12-16 09:21 ]

傳統(tǒng)電網(wǎng)正向以電力電子技術(shù)廣泛應(yīng)用為代表的智能電網(wǎng)方向發(fā)展，其智能、靈活、互動(dòng)、兼容、高效等功能的實(shí)現(xiàn)依賴電網(wǎng)設(shè)備的智能化水平和更加優(yōu)良器件的使用。新型電網(wǎng)要求柔性變電站柔性可控、智能調(diào)控，融合電力電子、控制保護(hù)、信息通信以及先進(jìn)計(jì)算技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電氣隔離、電壓變換、一次設(shè)備與控制保護(hù)系統(tǒng)融合、電能質(zhì)量協(xié)調(diào)、分布式能源即插即用等多種功能的集成與優(yōu)化。 基于硅的電力電子變壓器在小功率電網(wǎng)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了部分應(yīng)用，但由于損耗大、體積大，在高壓大功率的輸電領(lǐng)域尚無法應(yīng)用。目前商用硅基絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的最大擊穿電壓為6