認(rèn)識(shí)晶須之王——碳化硅晶須[ 04-01 15:38 ]

 

碳化硅陶瓷的主要應(yīng)用[ 09-03 08:48 ]

   近年以來(lái)高性能碳化硅陶瓷的研究與應(yīng)用一直備受關(guān)注。碳化硅陶瓷作為現(xiàn)代工程陶瓷之一，由于其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數(shù)小、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學(xué)性能和抗氧化性能等突出的物理化學(xué)性質(zhì)，同時(shí)，SiC還具有低的中子活性、良好的耐輻照損傷能力和高溫結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，成為極具發(fā)展前景的結(jié)構(gòu)陶瓷。因此被廣泛應(yīng)用于石油化工、冶金機(jī)械、微電子器件和航空航天等領(lǐng)域。   SiC陶瓷的應(yīng)用領(lǐng)域

高純碳化硅微量元素測(cè)定啟用新國(guó)標(biāo)[ 09-02 12:43 ]

  據(jù)中國(guó)粉體網(wǎng)發(fā)布相關(guān)消息獲悉：2019年9月1日起，高純碳化硅微量元素的測(cè)定啟用新國(guó)標(biāo)（GB/T37254-2018）。     高純碳化硅微量元素的測(cè)定（GB/T37254-2018）規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-OES）法和電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）法測(cè)定高純碳化硅中微量元素含量的方法。     本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量大于或等于99.9%的高純碳化硅材料中鋁、砷、鈣、鉻、銅、鐵、汞、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、鉛、硫、鈦、

碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用[ 08-30 16:44 ]

  碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。可以有效降低反向漏電流，具備更好的耐高壓能力。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù)，隨著溫度的上升電阻也逐漸上升，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實(shí)用，增加了系統(tǒng)的安全性和可靠性。在器件從正向?qū)ㄏ蚍聪蜃钄噢D(zhuǎn)換時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)電流，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A的碳化

得碳化硅者得天下[ 08-28 10:51 ]

如果問(wèn)近期哪種工業(yè)原材料最受矚目？碳化硅材料無(wú)疑是最炙手可熱的一種。以SiC碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率，高擊穿場(chǎng)，高飽和電子漂移速率，化學(xué)性能穩(wěn)定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，因此碳化硅成為制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料。 據(jù)某企業(yè)征信機(jī)構(gòu)網(wǎng)站資料顯示，華為旗下全資子公司哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%（位列第二股東）。山東天岳是一家以碳化硅晶體襯底材料生產(chǎn)研發(fā)為主的國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)。該企業(yè)成立2011年12