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- 關于碳化硅市場近期走勢分析[ 03-26 08:52 ]
- 據磨庫網訊在最新一期磨友圈直播過程中,碳化硅資深人士楊荻帆,百川盈孚碳化硅行業(yè)分析師楊甜珍等業(yè)內人士分析了碳化硅一季度的市場行情及未來走勢。 楊荻帆表示,近期碳化硅價格漲聲一片,其上漲原因主要取決于石油焦原料價格上漲。 綠碳化硅的價格創(chuàng)歷史新高,很多廠家呈觀望狀態(tài)。接下來,根據石油焦的漲勢,原塊價格有突破15000元/噸的可能,可能會持續(xù)到8月份,總體來說形勢不容樂觀。 黑碳化硅方面,目前一級塊交易較多,隨著石油焦的漲幅,后期慢漲的可能性比較大。 楊總說,走訪山東、江蘇等地區(qū)的碳化硅生廠家時
- 華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖?[ 03-21 16:13 ]
- 去年9月底,華為發(fā)布了《數字能源2030》白皮書,白皮書中指出,“電力電子技術和數字技術成為驅動能源產業(yè)變革的核心技術”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中,硅基電力電子器件技術日益成熟,產業(yè)規(guī)模不斷壯大,在能源領域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限,硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限,難以繼續(xù)支撐技術和產業(yè)快速前進的要求。進入新世紀以來,尤其是從2010年至今,諸多新興的半導體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術帶來了
- SiCMOSFET器件的商業(yè)化[ 03-19 15:59 ]
- 近20多年來,以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件,受到了廣泛的關注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度,10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度,3倍于硅材料的熱導率,因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合。 其中SiCMOSFET是最為成熟、應用最廣的SiC功率開關器件,具有高開關速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點,被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結構的單極性器件,關斷過程不存在拖尾電流,降低了開關損耗,進而減小散熱器體積;并且其開關速度快,開關頻率高,有利于減小變換器中電感
- 碳化硅功率器件相關標準立項通過[ 03-18 15:54 ]
- 據中國粉體網訊 近期,由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭,泰克科技(中國)有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案,經CASA標準化委員會(CASAS)管理委員會審核,根據《CASA管理和標準制修訂細則》,上述團體標準提案立項通過,分配編號為:CASA024。
- 碳化硅半導體納入國家“十四五”規(guī)劃重點支持領域[ 03-11 15:24 ]
- 我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施,碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發(fā)揮重要作用。晶片(襯底)作為碳化硅半導體產業(yè)鏈的基礎材料,具有較高的應用前景和產業(yè)價值,在我國半導體產業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。 碳化硅晶片產品尺寸越大、技術參數水平越高,其技術優(yōu)勢越明顯,長期以來,碳化硅晶片的核心技術和市場基本被歐美發(fā)達國家壟斷,這無疑突出了一個事實,即