華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 03-21 16:13 ]

去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進的要求。進入新世紀以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來了

SiCMOSFET器件的商業(yè)化[ 03-19 15:59 ]

近20多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場合。 其中SiCMOSFET是最為成熟、應(yīng)用最廣的SiC功率開關(guān)器件，具有高開關(guān)速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點，被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關(guān)斷過程不存在拖尾電流，降低了開關(guān)損耗，進而減小散熱器體積；并且其開關(guān)速度快，開關(guān)頻率高，有利于減小變換器中電感

碳化硅功率器件相關(guān)標準立項通過[ 03-18 15:54 ]

據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案，經(jīng)CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA024。

碳化硅半導體納入國家“十四五”規(guī)劃重點支持領(lǐng)域[ 03-11 15:24 ]

我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。晶片（襯底）作為碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)材料，具有較高的應(yīng)用前景和產(chǎn)業(yè)價值，在我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。 碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術(shù)參數(shù)水平越高，其技術(shù)優(yōu)勢越明顯，長期以來，碳化硅晶片的核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達國家壟斷，這無疑突出了一個事實，即

碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]

隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導體制造工藝廣泛應(yīng)用的技術(shù)。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內(nèi)部件造成嚴重腐蝕，所以半導體加工設(shè)備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設(shè)備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心