【涂協(xié)】關(guān)于召開涂附磨具分會第十一屆會員代表大會暨“2021中國涂附磨具國際論壇”的通知[ 11-30 11:37 ]

  召開涂附磨具分會第十一屆會員代表大會暨“2021中國涂附磨具國際論壇”的通知     各會員單位及行業(yè)企業(yè)：       因受疫情影響延期的涂附磨具分會第十一屆會員代表大會暨“2021中國涂附磨具國際論壇”，定于12月21日－23日在鄭州舉辦。現(xiàn)將有關(guān)事宜通知如下：01   會議內(nèi)容     （一）涂附磨具分會理事會換屆選舉 &n

第三代半導體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]

眾所周知，采用第三代半導體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車載應用方面已經(jīng)開始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動車的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導體材料GaN設(shè)計的電源能夠使效率提高3到5個點，從而節(jié)省全國千分之三到千分之五的電力消耗。這對于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可

GaN和SiC材料的技術(shù)難點和特點[ 11-29 14:59 ]

目前，第三代半導體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場認可和高度關(guān)注。在功率半導體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導體材料SiC的技術(shù)難點主要在于襯底缺陷的控制。當前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn)，國內(nèi)想要突破還需要相當長的一段時間。 同時第三代半導體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動大導致良率偏低以及主要材料供應被壟斷，甚至推導到市場價格一直居高不下，目前只限定在部分應用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點而言，第三代半導體材料SiC的應用已經(jīng)

工信部：將碳化硅復合材料、碳基復合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)規(guī)劃[ 11-29 14:37 ]

8月24日，工信部在答復政協(xié)提案中表示，工信部將進一步強化產(chǎn)業(yè)政策引導，將碳基材料納入“十四五”原材料工業(yè)相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，并將碳化硅復合材料、碳基復合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，以全面突破關(guān)鍵核心技術(shù)，攻克“卡脖子”品種，提高碳基新材料等產(chǎn)品質(zhì)量，推進產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。碳化硅是第三代半導體材料之一，其介電擊穿強度大約是硅的10倍，主要用于生產(chǎn)功率半導體器件，適用于高溫、高壓、高功率的場景。碳基復合材料包括碳納米管、碳

中國磨料磨具分會秘書長等一行蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司調(diào)研[ 05-17 20:10 ]

初夏時節(jié)的金蒙新材料，處處洋溢著干事創(chuàng)業(yè)的激情。5月13日，中國磨料磨具分會秘書長陳鵬，在副秘書長馮潔、高級顧問楊荻帆、行業(yè)部主任夏學峰、辦公室主任黃凱的陪同下，蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司考察調(diào)研。公司董事長胡尊奎等陪同。