與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規(guī)模化生長SiC單晶主要采用物理氣相輸運(yùn)法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)：

1、生長條件苛刻，需要在高溫下進(jìn)行。一般而言，SiC氣相生長溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對設(shè)備和工藝控制帶來了極高的要求，生產(chǎn)過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會導(dǎo)致生長數(shù)天的產(chǎn)品失敗。

2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢，7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英寸硅棒。

還有一個(gè)令人頭疼的問題，SiC存在200多種晶體結(jié)構(gòu)類型，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型(4H-SiC)等少數(shù)幾種晶體結(jié)構(gòu)的單晶型SiC才是所需的半導(dǎo)體材料，在晶體生長過程中需要精確控制硅碳比、生長溫度梯度、晶體生長速率以及氣流氣壓等參數(shù)，否則容易產(chǎn)生多晶型夾雜，導(dǎo)致產(chǎn)出的晶體不合格。