聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅技術在家電行業(yè)的應用[ 02-26 13:37 ]
- 回溯半導體技術的發(fā)展歷程，大致分為3個時代。第一代半導體材料主要是硅和鍺，上世紀60年代之后，硅基半導體逐漸成為主流，直到現(xiàn)在依然是應用最為廣泛的半導體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎材料制成的。第二代半導體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車
- SiC碳化硅在電動車中起到什么作用？[ 02-22 14:12 ]
- 舉個例子，現(xiàn)在很多人手機都用上了“氮化鎵”充電器，這種新材料充電器體積非常小，但發(fā)熱小充電效率很高。而汽車用SiC碳化硅就是與消費電器里氮化鎵一樣神奇的功率半導體。 首先說說SiC碳化硅的作用。一輛電動車充電的時候，它需要把交流電轉換成直流電，然后存儲在鋰電池中。鋰電池中的高壓直流轉化為交流電，然后提供交流電動機使用。 上面這些交流—直流—交流等復雜的變換過程，我們稱為整流或逆變，很不幸這個過程都需要發(fā)熱，都會產(chǎn)生功率損耗。 電動汽車涉及功率半導體的
- 碳化硅功率模塊的應用[ 02-21 12:18 ]
- 碳化硅模塊是支撐各種工業(yè)應用的關鍵技術之一，相比傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高主開關頻率的尖端電力電子設備的性能升級過程中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復二極管）的性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。 隨著SiC技術的日趨成熟和商業(yè)化應用，其獨特的耐高溫性能不斷加速推動結溫從150℃邁向175℃，甚至已出現(xiàn)了200℃的產(chǎn)品。借助于這種獨特的高溫特性和低開關損耗優(yōu)勢，可以為未來的高
- 燒結溫度對SiC多孔陶瓷性能的影響[ 02-20 08:36 ]
- (1)XRD分析表明，隨著燒結溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強度逐漸升高，在1690℃時SiO2的特征衍射峰強度最高，這是因為燒結溫度較高導致了SiC表面發(fā)生了氧化反應，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)氣孔率測試發(fā)現(xiàn)，隨著燒結溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現(xiàn)出先降低后增加的趨勢，在1660℃時氣孔率最低為32.1％。 (3)分析發(fā)現(xiàn)，在1600和1630℃下燒結的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著燒結溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現(xiàn)了較多的氣孔，且
- 絲瓜衍生環(huán)保型碳化硅陶瓷基復合相變材料[ 02-19 10:22 ]
- 據(jù)悉南京航空航天大學低碳航空動力與綠色能源創(chuàng)新團隊宣益民院士、劉向雷教授等人在Energystoragematerials上發(fā)表了題為“Loofah-derivedeco-friendlySiCceramicsforhigh-performancesunlightcapture,thermaltransport,andenergystorage”的研究論文。該工作在團隊前期研究（Mater.TodayEnergy,21(2021)100764；Sol.EnergyMaterSol.Cells
