國產(chǎn)高端8/12英寸晶圓減薄機(jī)加速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化[ 04-13 13:16 ]

北京中電科電子裝備有限公司（以下簡稱“北京中電科”）在國家科技部和電科裝備的大力支持下，依托已有晶圓減薄機(jī)技術(shù)的優(yōu)勢，突破了高速大扭矩減薄氣浮主軸、高精度晶片減薄厚度精密控制等核心技術(shù)，成功推出了自主研發(fā)的8/12英寸全自動晶圓減薄機(jī)的產(chǎn)業(yè)化機(jī)型，目前已有20多臺不同型號設(shè)備被用于集成電路材料加工、芯片制造、先進(jìn)封裝等工藝段的產(chǎn)品量產(chǎn)，獲得行業(yè)客戶的高度認(rèn)可。隨著8英寸全自動減薄機(jī)在西安封測龍頭企業(yè)實現(xiàn)流片，12英寸全自動減薄機(jī)在國內(nèi)多家大型硅片制造企業(yè)實現(xiàn)Inline生產(chǎn)，設(shè)備各項工藝指標(biāo)

Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]

近期，Microchip宣布擴(kuò)展其SiC產(chǎn)品組合，推出業(yè)界最低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。 Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產(chǎn)品系列使客戶能夠輕松、快速、自信地轉(zhuǎn)向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術(shù)相對于基于硅設(shè)計的諸多優(yōu)勢。”

安森美利用SiC/GaN推出大功率圖騰柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]

近日，安森美推出了全新的大功率圖騰柱PFC控制器，這是一款利用圖騰柱PFC技術(shù)實現(xiàn)高效電源的產(chǎn)品。 除了圖騰柱PFC控制器，Onsemi還為圖騰柱的評估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流線路同步整流器；利用GaNHEMT單元用于高速開關(guān)。 圖騰柱PFC

英飛凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]

近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個650V系列。 該產(chǎn)品建立在其先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)之上。與上一代硅(Si)半導(dǎo)體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實現(xiàn)出色的開關(guān)性能。這些降低的開關(guān)損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。

AehrTestSystems宣布：收到2230萬碳化硅晶圓訂單[ 04-07 13:41 ]

近日，AehrTestSystems宣布，其領(lǐng)先的碳化硅已收到超過350萬美元（2230萬人民幣）的訂單WaferPak™全晶圓接觸器的測試和老化客戶，用于多種新的碳化硅器件設(shè)計以及多個碳化硅器件的批量生產(chǎn)能力訂單，這些器件現(xiàn)在正在加速生產(chǎn)以滿足電動汽車(EV)半導(dǎo)體的批量生產(chǎn)能力。 Aehr的FOX-XP系統(tǒng)和WaferPaks不僅支持目前大量出貨的6英寸（150毫米）直徑碳化硅晶圓，而且還支持未來的8英寸（200毫米）晶圓。