Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]

近期，Microchip宣布擴展其SiC產品組合，推出業(yè)界最低導通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。 Microchip分立產品業(yè)務部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產品系列使客戶能夠輕松、快速、自信地轉向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術相對于基于硅設計的諸多優(yōu)勢。”

安森美利用SiC/GaN推出大功率圖騰柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]

近日，安森美推出了全新的大功率圖騰柱PFC控制器，這是一款利用圖騰柱PFC技術實現(xiàn)高效電源的產品。 除了圖騰柱PFC控制器，Onsemi還為圖騰柱的評估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流線路同步整流器；利用GaNHEMT單元用于高速開關。 圖騰柱PFC

英飛凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]

近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個650V系列。 該產品建立在其先進的SiC溝槽技術之上。與上一代硅(Si)半導體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實現(xiàn)出色的開關性能。這些降低的開關損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。

AehrTestSystems宣布：收到2230萬碳化硅晶圓訂單[ 04-07 13:41 ]

近日，AehrTestSystems宣布，其領先的碳化硅已收到超過350萬美元（2230萬人民幣）的訂單WaferPak™全晶圓接觸器的測試和老化客戶，用于多種新的碳化硅器件設計以及多個碳化硅器件的批量生產能力訂單，這些器件現(xiàn)在正在加速生產以滿足電動汽車(EV)半導體的批量生產能力。 Aehr的FOX-XP系統(tǒng)和WaferPaks不僅支持目前大量出貨的6英寸（150毫米）直徑碳化硅晶圓，而且還支持未來的8英寸（200毫米）晶圓。

國星光電：SiC功率分立器件已完成多個試產訂單[ 04-06 13:39 ]

近日，國星光電發(fā)布年度業(yè)績報告，報告期內推出了SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件3大系列產品。 其中，SiC功率模塊及GaN器件新品實驗線已投入生產運作，可迅速響應對接客戶個性化的需求；SiC功率分立器件產品產線已投入使用，并完成了多個合作商的試產訂單。同時，他們也積極布局三代半上游外延芯片領域，子公司國星半導體現(xiàn)已具備硅基GaN芯片相關技術儲備，并積極與高校和研究所展開GaN功率器件等的研發(fā)工作，并參與了兩項第三代半導體方向的省級研發(fā)項目。