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聯(lián)系金蒙新材料
- 在功率型碳化硅供應(yīng)鏈中擁有知識產(chǎn)權(quán)的主要中國企業(yè)[ 04-25 14:38 ]
- 目前在功率型碳化硅供應(yīng)鏈上的中國專利申請人分類情況表明，目前供應(yīng)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)中已存在大量擁有知識產(chǎn)權(quán)的中國企業(yè)。例如，在塊狀碳化硅領(lǐng)域，中國電科研究所、山東大學(xué)和中科院(上海硅酸鹽研究所、物理研究所、半導(dǎo)體研究所)等研究機(jī)構(gòu)在中國率先開展了碳化硅晶體生長的研究，并推動了國內(nèi)工業(yè)企業(yè)的出現(xiàn)，如北京天科合達(dá)(成立于2006年)、山東天岳(成立于2010年)和河北同光晶體(成立于2012年)。 近期，一批新的初創(chuàng)企業(yè)從這些研究所誕生，如山西爍科晶體有限公司(中國電科)和廣州南沙晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(山東大學(xué))。此外
- “國內(nèi)碳化硅第一股”天岳先進(jìn)發(fā)布上市以來的首份年報(bào)[ 04-21 17:12 ]
- 近期，“國內(nèi)碳化硅第一股”天岳先進(jìn)發(fā)布上市以來的首份年報(bào)。2021年，該公司實(shí)現(xiàn)營收4.94億元，同比增長16.25%；歸母凈利潤8995.15萬元，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，較上年同期增加7.31億元。去年銷售襯底約5.7萬片，產(chǎn)能持續(xù)提升。 資料顯示，天岳先進(jìn)是國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體（第三代半導(dǎo)體）襯底材料生產(chǎn)商，主要從事碳化硅襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。今年1月12日，天岳先進(jìn)正式在科創(chuàng)板上市，成為“國內(nèi)碳化硅第一股”。 天岳先進(jìn)
- 碳化硅功率器件市場至2027年或翻6倍[ 04-20 14:07 ]
- 碳化硅襯底可以分為半絕緣碳化硅襯底和低阻碳化硅襯底。近年來，隨著5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭的慢慢平穩(wěn)，低阻碳化硅襯底逐漸要扛起碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的大旗。據(jù)YOLE預(yù)測，2021年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模約為10.9億美金，而到2027年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模將暴增至62.97億美金，年均復(fù)合增長率約為34%。 車規(guī)級碳化硅功率器件的研發(fā)可追溯到2008年。而豐田汽車早在2014年就推出了應(yīng)用碳化硅功率器件的普銳斯和凱美瑞混動車，然而真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用碳化硅MOSFET器件的則是車企新貴—&mdas
- 近30年的SiC外延系統(tǒng)演變[ 04-19 13:44 ]
- 近30年的SiC外延系統(tǒng)演變 Epigress熱壁式SiC外延生長系統(tǒng) •單晶片2”直徑 •手動裝載和卸載外延片 •過程手動控制 •基于硅烷(SiH4)的工藝–不含氯 •增長率限制在10微米/小時(shí)左右 Aixtron暖壁系統(tǒng) •多晶片6”直徑(8”) •自動加載和卸載外延片 •配方控制過程 •基于氯硅烷的工藝
- SiC外延生長常見元素[ 04-18 16:40 ]
- SiC外延生長：常見元素 襯底： •用于電力電子的4H多型 •當(dāng)前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長的外延 •需要對硅表面進(jìn)行仔細(xì)的化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)以減少缺陷 生長參數(shù)： •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C
