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- 碳化硅陶瓷換熱器的優(yōu)點(diǎn)[ 04-12 14:14 ]
- 碳化硅陶瓷換熱器有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)： （1）碳化硅陶瓷換熱器的使用方法直接、簡單、快捷、高效、環(huán)保、節(jié)能。不需摻冷風(fēng)及高溫保護(hù)，維修成本低，無需對陶瓷換熱器進(jìn)行任何操作。適用于各種環(huán)境的燃?xì)夤I(yè)窯爐的余熱回收利用，尤其解決了各種高溫工業(yè)窯爐余熱溫度過高無法利用的難題； （2）國家要求陶瓷換熱器溫度≥1000℃，由于它耐高溫，所以就可以放在高溫區(qū)域，溫度越高，換熱效果越好，節(jié)能越多； （3）高溫情況下替代金屬換熱器； （4）解決化工行業(yè)熱交換、耐腐蝕的難題； （5）碳化硅陶瓷換熱器適應(yīng)
- 碳化硅陶瓷換熱器的研究背景及現(xiàn)狀[ 04-11 15:11 ]
- 上世紀(jì)八十年代，國外曾用碳化硅化熱元件制作陶瓷換熱器。我國成都科技大學(xué)化機(jī)教研室八十年代研制碳化硅管高溫?fù)Q熱器，并于1986年用于碳酸鉀工業(yè)生產(chǎn)。該換熱器主要換熱元件由碳化硅陶瓷材料組成，高溫?zé)煔庠诠芡?，被加熱氣體在管內(nèi)，兩者呈錯(cuò)流。碳化硅管可承受1540℃高溫，所以高溫?zé)煔饪芍苯舆M(jìn)入換熱器中進(jìn)行交換。高溫?zé)煔庥休^大的輻射熱，而碳化硅管可以充分利用高溫氣體輻射傳熱和火焰輻射傳熱。該技術(shù)在碳酸鉀生產(chǎn)中應(yīng)用，節(jié)能和增產(chǎn)都獲得明顯的效果。使用碳化硅管換熱器后，空氣預(yù)熱溫度從350℃提高到500℃，加快了干燥溫度，日產(chǎn)量由
- Microchip推出3.3kV碳化硅(SiC)功率器件[ 04-09 16:06 ]
- 近期，Microchip宣布擴(kuò)展其SiC產(chǎn)品組合，推出業(yè)界最低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]3.3kVSiCMOSFET和最高額定電流SiCSBD。 Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁LeonGross表示：我們新的3.3kVSiC功率產(chǎn)品系列使客戶能夠輕松、快速、自信地轉(zhuǎn)向高壓SiC，并受益于這種令人興奮的技術(shù)相對于基于硅設(shè)計(jì)的諸多優(yōu)勢。”
- 安森美利用SiC/GaN推出大功率圖騰柱PFC控制器[ 04-09 09:01 ]
- 近日，安森美推出了全新的大功率圖騰柱PFC控制器，這是一款利用圖騰柱PFC技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效電源的產(chǎn)品。 除了圖騰柱PFC控制器，Onsemi還為圖騰柱的評估板提供SiCMOSFET和GaNHEMT。使用Si-MOSFET用于交流線路同步整流器；利用GaNHEMT單元用于高速開關(guān)。 圖騰柱PFC
- 英飛凌推出全新 CoolSiC MOSFET[ 04-08 13:50 ]
- 近日，英飛凌宣布在其現(xiàn)有的高壓碳化硅(SiC)MOSFETCoolSic系列中增加一個(gè)650V系列。 該產(chǎn)品建立在其先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)之上。與上一代硅(Si)半導(dǎo)體相比，這些650V系列MOSFET的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和漏源電荷(Qoss)降低了80%，即使在較高電流下也能實(shí)現(xiàn)出色的開關(guān)性能。這些降低的開關(guān)損耗允許高頻、高效操作，從而能夠使用更小的濾波組件，并最終提高功率密度。
