碳化硅是一種非常適合電力應(yīng)用的半導(dǎo)體，這主要歸功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍。

基于碳化硅的半導(dǎo)體具有更高的熱導(dǎo)率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗。

碳化硅二極管和晶體管還可以在更高的頻率和溫度下工作，而不會影響可靠性。

SiC器件的主要應(yīng)用，例如肖特基二極管和FET/MOSFET晶體管，包括轉(zhuǎn)換器、逆變器、電源、電池充電器和電機控制系統(tǒng)。