碳化硅納米材料具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。碳化硅 納米線表現出的室溫光致發(fā)光性，使其成為制造藍光發(fā)光二極管和激光二極管的理想材料。近年來的研究表明:微米級SiC晶須已被應用于增強陶瓷基、金屬基和聚合物基復合材料，這些復合材料均表現出良好的機械性能，可以想象用強度硬度更高及長徑比更大的碳化硅 一維納米材料作為復合材料的增強相，將會使其性能得到進一步增強。碳化硅一維納米材料具有閾值場強低，電流密度大，高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)異特點可望作為電場發(fā)射材料，利用這一特性可制成第三代新型電子光源，并將在圖像顯示技術方面發(fā)揮巨大作用。隨著研究的深入，研究者還發(fā)現一維SiC納米結構在儲氫、光催化和傳感等領域都有廣泛的應用前景。