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碳化硅作為半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)
文章出處：原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯：王龍作者：王龍人氣：-發(fā)表時(shí)間：2017-03-21 07:52:00
眾所周知，碳化硅是目前半導(dǎo)體界公認(rèn)的一種具有較高開(kāi)發(fā)潛力的新式半導(dǎo)體材料。金蒙新材料公司所生產(chǎn)的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導(dǎo)體，與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。
大家通常認(rèn)識(shí)一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3 倍,高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。
碳化硅與硅半導(dǎo)體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。
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