碳化硅寬禁帶半導體目前存在的問題[ 05-14 15:50 ]

①大尺寸SiC單晶襯底制備技術仍不成熟。 目前國際上已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術；p型襯底技術的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長技術有待進一步提高。 ③SiC功率器件的市場優(yōu)勢尚未完全形成，尚不能撼動目前硅功率半導體器件市場上的主體地位。 國際SiC器件領域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術水平比較低；缺乏統(tǒng)一的測試評價標準。 中國SiC功率器件領域存在以下3個方面差距：

多孔重結晶碳化硅陶瓷的制備與力學性能表征[ 05-09 16:20 ]

多孔重結晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質相而具有優(yōu)異的高溫力學性能、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性能、高熱導率以及較小的熱膨脹系數(shù)，作為高溫結構材料廣泛用于航空航天等領域。而且由于燒結過程中不收縮，可以制備形狀復雜、精度較高的部件。 目前，針對RSiC的研究和應用，一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結構材料，另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過濾催化用的多孔結構/功能材料。 高溫過濾催化用多孔材料，如用作柴油車尾氣顆粒物過濾器(Die

做一片八英寸SiC晶圓生產(chǎn)難點在哪？[ 05-07 16:27 ]

目前以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點又在哪里？   包括SiC在內(nèi)的第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設計→制造→封裝。其中，襯底是所有半導體芯片的底層材料，起到物理支撐、導熱、導電等作用；外延是在襯底材料上生長出新的半導體晶層，這些外延層是制造半導體芯片的重要原料，影響器件的基本性能；設計包括器件設計和集成電路設計，其中器件設計包括半導體器件的結構、材

SiC外延生長常見元素[ 04-18 16:40 ]

SiC外延生長：常見元素 襯底： •用于電力電子的4H多型 •當前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長的外延 •需要對硅表面進行仔細的化學機械拋光(cmp)以減少缺陷 生長參數(shù)： •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C

SiC相對于Si器件的優(yōu)勢[ 04-17 15:34 ]

SiC相對于Si器件的優(yōu)勢： •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運行 •SiC的高導熱性允許器件在>200C的高溫下運行