碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]

生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體；固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學(xué)氣相沉積法（CVD法） CVD法是通過氣體的高溫反應(yīng)得到超細、高純的SiC粉體，其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等，C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等

碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用[ 09-06 16:39 ]

碳化硅晶圓的生產(chǎn)，是先要制備碳化硅襯底，目前其制備多采用改進Lely法、高溫CVD法和溶液法，其中以改進Lely法為主流。 Lely法，又稱升華法，其基本原理是：在空心圓筒狀石墨坩堝中（最外層石墨坩堝，內(nèi)置多孔石墨環(huán)），將具有工業(yè)級純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環(huán)之間加熱到2500℃，碳化硅在此溫度下分解與升華，產(chǎn)生一系列氣相物質(zhì)比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內(nèi)壁與多孔石墨環(huán)之間存在溫度梯度，這些氣相物質(zhì)在多孔石墨環(huán)內(nèi)壁隨機生成晶核。但Lely法產(chǎn)率低，晶核難以控制，而且會形成不同結(jié)構(gòu)，尺寸也

碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹[ 09-03 16:45 ]

碳化硅器件的出現(xiàn)推動了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見，通過將瓷片電容盡可能靠近功率芯片可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開關(guān)過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。 驅(qū)動集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了SiC智能功率模塊(IPM)，將驅(qū)動芯片以及相關(guān)保護電路集成到模塊內(nèi)部，并用于家電等設(shè)備當(dāng)中。此外，還有EMI濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運用到碳化硅封裝設(shè)計當(dāng)中。

碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹[ 09-02 17:02 ]

在進行芯片正面連接時可用銅線替代鋁線，消除鍵合線與DBC銅層之間的熱膨脹系數(shù)差異，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。 錫片或錫膏常用于芯片和DBC板的連接，焊接技術(shù)非常成熟而且簡單，通過調(diào)整焊錫成分比例，改進錫膏印刷技術(shù)，真空焊接減小空洞率，添加還原氣體等可實現(xiàn)極高質(zhì)量的焊接工藝。但焊錫熱導(dǎo)率較低，且會隨溫度變化，并不適宜SiC器件在高溫下工作。此外，焊錫層的可靠性問題也是模塊失效的一大原因。 燒結(jié)銀連接

碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹[ 09-01 16:56 ]

目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統(tǒng)Si器件的封裝方式。傳統(tǒng)封裝技術(shù)成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其雜散電感參數(shù)較大，在碳化硅器件快速開關(guān)過程中造成嚴重電壓過沖，也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問題。 而雜散電感的大小與開關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵影響因素。消除金屬鍵合線可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封裝結(jié)構(gòu)分別進行介紹。 ①單管翻轉(zhuǎn)貼片封裝 阿肯