碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能[ 03-22 16:17 ]

去年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要”明確提出，我國將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，催生一批高速成長的新材料企業(yè)。 作為第三代半導(dǎo)體代表材料，碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。 力學(xué)性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。 熱學(xué)性能：熱導(dǎo)率超過金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對(duì)于大功率器件非常重要。 化學(xué)性能：耐腐蝕性非常

碳化硅陶瓷材料的防彈原理是什么[ 02-10 08:48 ]

在大家的印象里，陶瓷是易碎品。但經(jīng)過現(xiàn)代科技加工后，碳化硅陶瓷“搖身一變”，成為了一種堅(jiān)硬、高強(qiáng)度的新材料，尤其是在對(duì)材料有特殊物理性能要求的防彈領(lǐng)域，碳化硅陶瓷更是大放異彩，成為非常熱門的防彈材料。 裝甲防護(hù)的基本原理是消耗射彈能量、使射彈減速并達(dá)到無害。絕大部分傳統(tǒng)的工程材料，如金屬材料通過結(jié)構(gòu)發(fā)生塑性變形來吸收能量，而碳化硅陶瓷材料則是通過微破碎過程吸收能量。 碳化硅防彈陶瓷的吸能過程大致可分為3個(gè)階段。（1）初始撞擊階段：彈丸撞擊陶瓷表面，使彈頭變鈍，在陶瓷表面粉碎形成細(xì)

SiC反向恢復(fù)時(shí)間與Si MOSFET相比如何？[ 12-20 14:43 ]

SiCMOSFET與其硅對(duì)應(yīng)物一樣，具有內(nèi)部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復(fù)行為，當(dāng)二極管關(guān)斷同時(shí)承載正正向電流時(shí)會(huì)發(fā)生這種情況。因此，反向恢復(fù)時(shí)間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標(biāo)。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較?？梢钥闯?，SiCMOSFET的體二極管非?？欤簍rr和Irr的值小到可以忽略不計(jì)，能量損失Err大大降低。

碳化硅如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？[ 12-20 14:41 ]

另一個(gè)重要參數(shù)是熱導(dǎo)率，它是半導(dǎo)體如何散發(fā)其產(chǎn)生的熱量的指標(biāo)。如果半導(dǎo)體不能有效散熱，則器件可以承受的最大工作電壓和溫度會(huì)受到限制。這是碳化硅優(yōu)于硅的另一個(gè)領(lǐng)域：碳化硅的導(dǎo)熱率為1490W/mK，而硅的導(dǎo)熱率為150W/mK。

為什么SiC在高頻下的表現(xiàn)優(yōu)于IGBT？[ 12-20 14:39 ]

在大功率應(yīng)用中，過去主要使用IGBT和雙極晶體管，目的是降低高擊穿電壓下出現(xiàn)的導(dǎo)通電阻。然而，這些設(shè)備提供了顯著的開關(guān)損耗，導(dǎo)致發(fā)熱問題限制了它們?cè)诟哳l下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET等器件，實(shí)現(xiàn)高電壓、低導(dǎo)通電阻和快速運(yùn)行。