碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，也是目前發(fā)展最為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的熱學(xué)、力學(xué)、化學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，不但是制作高溫、高頻、大功率電子器件的最佳材料之一，同時又可以用作基于氮化鎵的藍(lán)光發(fā)光二極管的襯底材料，可廣泛應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域、微波器件領(lǐng)域和LED光電子領(lǐng)域，使用碳化硅可以承受更高電源、更大電路、耗盡層可以做的更薄，因而工作速度更快、器件體積更小、重量更輕。

　　在市面上一般有三種材料可作為襯底：藍(lán)寶石、硅、碳化硅。其中藍(lán)寶石是使用最多的沉底材料，具有生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好、穩(wěn)定性好、機械強度高、易于處理和清洗等優(yōu)點。但它也有許多不能克服的缺點：第一，晶格失配和熱應(yīng)力失配會導(dǎo)致外延層中產(chǎn)生大量缺陷，同時給后續(xù)器件加工工藝造成困難;第二，藍(lán)寶石是絕緣體，電阻率很大，無法制成垂直結(jié)構(gòu)的器件;第三，通常在外延層上表面制作N型和P型電極，造成了有效發(fā)光面積減少，材料利用率降低;第四，藍(lán)寶石的硬度非常高，僅次于金剛石，難以對它進(jìn)行薄化和切割;第五，藍(lán)寶石導(dǎo)熱性能不是很好，因此在使用半導(dǎo)體照明器件時，會傳導(dǎo)出大量的熱量，對面積較大的大功率器件，導(dǎo)熱性能是一個非常重要的考慮因素。