目前市場上采用的功率模塊的芯片大多采用硅材料制造，但是行業(yè)界對硅材料的性能利用已接近極限。與硅相比，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍，臨界擊穿電場強(qiáng)度是硅的10倍，電子飽和速率是硅的2倍。

　　與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有關(guān)斷拖尾電流績效、開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用碳化硅功率器件開發(fā)電子電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積;提升變流器效率;確保高溫環(huán)境下運(yùn)行的可靠性，還易于實現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計。碳化硅功率器件可廣泛應(yīng)用于節(jié)能、高頻和高溫三大電力電子系統(tǒng)。

　　自去年7月以來，三菱電機(jī)發(fā)布了一系列碳化硅功率模塊，這些產(chǎn)品將于今年6月18日至20日在上海世博展覽館舉行的亞洲展中隆重亮相。

　　現(xiàn)在很多汽車生產(chǎn)配件廠家在使用黑碳化硅微粉及黑碳化硅粒度砂，為產(chǎn)品研發(fā)節(jié)省資源及提高性能。