碳化硅是人工合成的材料，其化學(xué)計量成分以克分子計：Si 50%、C 50%，以質(zhì)量計：Si 70.04%、C 29.96%，相對分子質(zhì)量為40.09。
  Si-C二元系統(tǒng)相圖，碳化硅無一致熔融點。在封閉系統(tǒng)中、在總壓為101kPa的條件下，碳化硅在2735℃分解成石墨和富硅熔體。此溫度也是形成碳化硅結(jié)晶的最高溫度。在開放系統(tǒng)中，碳化硅約在2300℃左右開始分解、形成氣態(tài)硅和殘余石墨。
  碳化硅有兩種晶形：β-碳化硅類似閃鋅礦結(jié)構(gòu)的等軸晶系；α-碳化硅則為晶體排列致密的六方晶系。β-碳化硅約在2100℃轉(zhuǎn)變?yōu)樘蓟琛?br />   合成
  （一）用二氧化硅和碳（煤）合成碳化硅
  工業(yè)上合成碳化硅多以石英砂、石油焦（無煙煤）為主要原料，在電爐內(nèi)溫度在2000~2500℃下，通過下列反應(yīng)式合成：
  Si02+3C→SiC+2CO-46.8kJ(11.20kcal)
  回爐料的要求：包括無定形料、二級料，應(yīng)滿足下列要求：SiC>80%,Si02+Si<10%,固定碳<5%,雜質(zhì)<4.3%。
  焙燒料的要求：未反應(yīng)的物料層必須配入一定的焦炭、木屑、食鹽后做焙燒料。加人量(以100t計）焦炭0~50kg，木屑30~50L,食鹽3%~4%。
  保溫料的要求：新開爐需要配保溫料。焦炭與石英之比為0.6。如用乏料代替應(yīng)符合如下要求：SiC<25%，Si02+Si>35%，C20%，其他<3.5%。