光伏產業(yè)上游現量價回升復蘇景象[ 03-11 17:28 ]

據報道，位于光伏中上游的光伏組件和多晶硅產業(yè)，在很長一段時間由于產能過剩飽受質疑。前兩年行業(yè)蕭條時，因沒有訂單或售價低于成本，甚至一些光伏上游企業(yè)被迫停工。而去年下半年以來，隨著光伏電站的建設迎來熱潮，光伏行業(yè)明顯回暖，上游產業(yè)鏈也正在走出“冰封期”，開始出現量價回升的復蘇景象。

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現狀分析[ 02-23 17:32 ]

  在過去的十五到二十年中，碳化硅電力電子器件領域取得了令人矚目的成就，所研發(fā)的碳化硅器件的性能指標遠超當前硅基器件，并且成功實現了部分碳化硅器件的產業(yè)化，在一些重要的能源領域開始逐步取代硅基電力電子器件，并初步展現出其巨大的潛力。碳化硅電力電子器件的持續(xù)進步將對電力電子技術領域的發(fā)展起到革命性的推動作用。隨著SiC單晶和外延材料技術的進步，各種類型的SiC器件被開發(fā)出來。SiC器件主要包括二極管和開關管。SiC二極管主要包括肖特基勢壘二極管及其新型結構和PiN型二極管。SiC開關管的種類較多，具有代表性

山東金蒙碳化硅冶煉爐良好的透氣性的重要性[ 07-02 10:18 ]

山東金蒙碳化硅合成過程是一個復雜的過程，特別是在冶煉的中后期，是有液相和氣相參與的反應。因此提高壓力并不表現出積極作用，甚至會使得其反。所以冶煉爐應該要有良好的透氣性。如果爐體和爐料透氣性太差，爐內會形成很高的正壓。這種壓力會大大降低爐內反應動力，使反應能力減小，反應速度下降。從而影響冶煉爐的產量和產品的質量。爐內的正壓高，會使爐芯溫度不正常迅速升高，爐料的區(qū)間溫差梯度加大，會造成冶煉爐中心部位有分解溫度，外層無再結晶溫度，阻礙了反應向正方向發(fā)展。當爐內壓力升到一定數值后，將會使碳化硅晶筒形成多硅結晶或富硅性熔體。

碳化硅光學材料拋光試驗[ 04-24 11:05 ]

研究了三種典型的碳化硅光學材料CVD SiC、HP SiC以及RB SiC的材料去除機理與可拋光性，并對其進行了超光滑拋光試驗。在分析各種材料制備方法與材料特性的基礎上，通過選擇合理的拋光工藝參數，均獲得了表面粗糙度優(yōu)于Rq=2nm（采樣面積為0.71mm×0.53mm）的超光滑表面。試驗結果表明：研磨過程中，三種碳化硅光學材料均以脆性斷裂的方式去除材料，加工表面存在著裂紋以及材料脫落留下的缺陷;拋光過程中，CVD SiC主要以塑性劃痕的方式去除材料，決定表面粗糙度的主要因素為表面微觀劃痕的深度；HP

微硅粉提高油井水泥熱穩(wěn)定性的原因[ 04-02 11:31 ]

微硅粉能提高油井水泥的熱穩(wěn)定性是由于微硅粉含有95%以上的SiO2,它的加入改變了水泥的C/S比,使水泥的水化產物C—S—H的組成和結構發(fā)生了變化。實驗證明,在微硅粉的存在下,C3S粒子周圍存在著三層不同C/S的C—S—H疑膠,最內層C/S為115左右,最外層C/S小于1。C/S不同,產物的結構不同,其性能也不相同。Eilers等人認為,在加入金石微硅粉的水泥中,隨加量和環(huán)境溫度不同,可得到一系列熱穩(wěn)定性好、強度高、滲透率低的水化產物。當微硅粉加量在35%左右,水泥體