碳化硅防彈陶瓷的制備方法及工藝特點[ 02-13 09:13 ]

從陶瓷材料制備工藝的特點可以看出，目前工藝發(fā)展較為成熟的是反應燒結、無壓燒結和液相燒結，這3種燒結方式的生產成本較低，制備工藝較簡單，實現(xiàn)大批量生產的可能性較高。熱壓燒結和熱等靜壓燒結相對來說會受到產品尺寸的限制，生產成本較高，成熟性較低。超高壓燒結、微波燒結、放電等離子燒結和等離子束熔融法綜合來說成熟性最低，是較為新穎的制備手段，但對于技術和設備的要求較高，需要投入的生產費用高，實現(xiàn)批量化的可行性較低，常用于實驗探索階段，對實際應用意義不大，較難實現(xiàn)產業(yè)化。

碳化硅防彈陶瓷仍面臨升級和突破發(fā)展[ 02-12 09:15 ]

盡管碳化硅的防彈潛力非常大，但單相陶瓷斷裂韌性、脆性差的問題卻不容忽視。而現(xiàn)代科技的發(fā)展對防彈陶瓷的功能性與經濟性提出了要求：多功能、高性能、輕質、低成本和安全性。因此，專家學者們近年來希望通過微觀調節(jié)包括多元陶瓷體系復合、功能梯度陶瓷、層狀結構設計等來實現(xiàn)陶瓷的強韌化、輕量化和經濟化，并且這樣的護甲相對于如今的裝甲重量輕，更好地提高了作戰(zhàn)單位的機動性能。 功能梯度陶瓷即通過微觀設計組分材料性能呈規(guī)律性變化。比如硼化鈦與金屬鈦以及氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅與金屬鋁等金屬/陶瓷復合體系，性能沿厚度位置呈梯度

防彈陶瓷對材料性能有哪些要求[ 02-11 08:53 ]

因為陶瓷本身的脆性，其受到彈丸沖擊時發(fā)生斷裂而不是塑性變形。在拉伸載荷作用下，斷裂首先發(fā)生在非均質處如孔隙和晶界上。因此，為使微觀應力集中降低到最小程度，裝甲陶瓷應當是孔隙率低（達理論密度值的99%）和細晶粒結構的高質量陶瓷。 目前防彈陶瓷發(fā)展迅速，防彈陶瓷材料種類眾多，這幾種最常用，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應用最廣。  

不同防彈陶瓷材料性能對比[ 02-09 08:45 ]

自21世紀以來，防彈陶瓷發(fā)展迅速，種類較多，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應用最廣。氧化鋁陶瓷密度最高，但硬度相對較低，加工門檻較低，價格較低，依據純度分為85／90／95／99氧化鋁陶瓷，相應的硬度和價格也依次增高。 碳化硅陶瓷密度相對較低，硬度較高，屬于性價比較高的結構陶瓷，因此也是目前國內應用最廣的防彈陶瓷。 碳化硼陶瓷在這幾種陶瓷中密度最低，硬度最高，但同時其對加工工藝的要求也很高，需要高溫高壓燒結，因而成

SiC器件IGBT模塊是否有必要提高結溫[ 02-06 09:51 ]

眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場強度是硅材料的10倍左右，最高結溫可達600℃……因此，SiC器件結構具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達400至600℃。SiCMOSFET自身損耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對較小。“SiC的導熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。 2010年5月，一家頭部公司稱其新技術顯著提高了IGBT模