近日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養(yǎng)實(shí)踐基地。

旨在加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養(yǎng)兼具豐富理論知識(shí)和實(shí)踐能力的高層次材料工程人才。

中電化合物以此為契機(jī)，加大人才引進(jìn)力度，以創(chuàng)新為抓手，持續(xù)研發(fā)投入，打造公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

中電化合物公司是由中國(guó)電子下屬的華大半導(dǎo)體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專(zhuān)業(yè)化寬禁帶半導(dǎo)體材料制造企業(yè)。

2019年，中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶(hù)在寧波杭州灣新區(qū)，是浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，總投資10.5億元，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)7萬(wàn)片6吋SiC同質(zhì)外延片生產(chǎn)線，和年產(chǎn)1萬(wàn)片GaN外延片生產(chǎn)線；包含SiC晶體生長(zhǎng)、襯底加工、外延生長(zhǎng)、材料檢測(cè)工序。

2021年12月，中電化合物宣布中標(biāo)寧波市重大科技任務(wù)攻關(guān)暨揭榜掛帥項(xiàng)目，聯(lián)合寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司和中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，共同建設(shè)“車(chē)規(guī)級(jí)MOS器件用大尺寸SiC材料研發(fā)、驗(yàn)證及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目。

目前，中電化合物的碳化硅年產(chǎn)能已達(dá)2萬(wàn)片，未來(lái)3年將達(dá)到8萬(wàn)片，已向客戶(hù)提供了650V/1200V/1700V系列SiC外延片和GaN外延片等產(chǎn)品。