碳化硅器件在汽車領域應用優(yōu)勢
在我國，機動車污染已成為空氣污染的重要來源，是造成灰霾、光化學煙霧污染的重要原因，節(jié)能減排已成為汽車業(yè)發(fā)展的重大課題。因此，大力發(fā)展新能源汽車是實現(xiàn)節(jié)能減排，促進我國汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略性措施。 來源：網(wǎng)通社 2014年5月，豐田官方發(fā)布信息，將在2020年推出一套全新采用碳化硅半導體技術的混動系統(tǒng)。網(wǎng)通社從歐洲媒體GoAuto了解到：新一代普銳斯將率先搭載該套混動系統(tǒng)，其油耗將相應降低10%，至3.33L。 目前，EV(純電動汽車)和HEV(混合動力汽車)的電力驅動部分主要由硅(Si)基功率器件組成。隨著電動汽車的發(fā)展，對電力驅動的小型化和輕量化提出了更高的要求。然而，由于材料限制，傳統(tǒng)Si基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本身極限，因此，各汽車廠商都對新一代碳化硅(SiC)功率器件寄予了厚望。 以碳化硅為代表的第三代半導體，與單晶硅和砷化鎵等傳統(tǒng)半導體材料相比，具有明顯的優(yōu)勢，如高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能、高化學穩(wěn)定性、抗輻射性強等，決定了碳化硅在諸多領域有著不可替代的地位。主要如下： 01 SiC具有高熱導率(達到4.9W/cm•K)，是Si的3.3倍。因此，SiC材料散熱效果好，理論上，SiC功率器件可在 175℃結溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著減小，適合用來制作高溫器件。 02 SiC具有高的擊穿場強，其擊穿電場是Si的10倍，因而適用于高壓開關，最大功率處理能力強，使得SiC材料適于制作大功率、大電流器件。 03 SiC具有高的飽和電子漂移速率，其數(shù)值是Si的2倍，在高場下幾乎不發(fā)生衰減，其高場處理能力強，因此，SiC材料適用于高頻器件。 SiC單晶在制備技術上也是第三代半導體材料中最成熟的。因此SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。 眾所周知，高功率密度、高壓、大電流IGBT功率模塊是逆變器里最核心的部件，它的功率密度越高，電力驅動系統(tǒng)的設計則越緊湊，在相同體積下就能發(fā)揮更大功率。由于SiC器件電流密度高(如 Infineon 產(chǎn)品可達 700 A/cm2)，在相同功率等級下，全SiC功率模塊的封裝尺寸顯著小于SiIGBT功率模塊，大大減小了功率模塊的體積。 另一方面，由于所有的功率轉換都由IGBT執(zhí)行，所以器件本身沒有更多的空間來散熱，也不能通過增加風扇等其他方式散熱，這就要求IGBT本身有很好的散熱功能。理論上，SiC功率器件可在175℃結溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著減小。 此外，與傳統(tǒng)硅IGBT相比，SiC器件的導通電阻較小導通損耗下降;特別是SiCSBDs，具有較小的反向恢復電流，開關損耗大幅降低，大幅提高系統(tǒng)效率。 綜上所述，碳化硅器件在電動汽車中的應用潛力巨大。SiC器件可以顯著減小電力系統(tǒng)的體積、重量和成本。提高功率密度和系統(tǒng)效率。使其成為EV和HEV電力驅動裝置中的理想器件，也將為電動汽車的動力驅動系統(tǒng)帶來革命性的改變。
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