SiC相對于Si器件的優(yōu)勢
SiC相對于Si器件的優(yōu)勢：
•SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓
•較薄的漂移層降低了整體器件電阻
•更高的電子飽和速度允許更高頻率的運行
•SiC的高導(dǎo)熱性允許器件在>200C的高溫下運行
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