SiC外延生長：常見元素

襯底：

•用于電力電子的4H多型

•當前晶圓直徑150mm和200mm

•定向4°離軸

•雙面拋光

•在晶片的硅面上生長的外延

•需要對硅表面進行仔細的化學機械拋光(cmp)以減少缺陷

生長參數(shù)：

•溫度~1650oC

•壓力~50-100mbar

•硅源

•碳源

•摻雜氣體

•C/Si比率——用于摻雜控制

•涂層石墨

外延片表征：

•厚度-目標和均勻度

•摻雜-目標和均勻度

•缺陷（表面缺陷、位錯缺陷）

•晶圓形狀（弓形等）