近20多年來(lái)，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍于硅材料的熱導(dǎo)率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合。

其中SiCMOSFET是最為成熟、應(yīng)用最廣的SiC功率開(kāi)關(guān)器件，具有高開(kāi)關(guān)速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關(guān)斷過(guò)程不存在拖尾電流，降低了開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)而減小散熱器體積；并且其開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)頻率高，有利于減小變換器中電感和電容的體積，提高裝置的功率密度，有效降低裝置的系統(tǒng)成本。

國(guó)際上多家企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiCMOSFET器件的商業(yè)化，并已逐步推出溝槽型SiCMOSFET器件。而國(guó)內(nèi)的SiCMOSFET器件基本采用平面柵MOSFET結(jié)構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度相對(duì)落后，工藝技術(shù)的不成熟與器件可靠性是國(guó)內(nèi)SiCMOSFET器件的主要問(wèn)題。