2020年，華為旗下哈勃投資增資入股碳化硅外延廠商瀚天天成；2021年7月，哈勃又分別投資碳化硅襯底和外延企業(yè)——天岳先進和東莞天域。

近年來，華為頻頻出手投資第三代半導體產(chǎn)業(yè)，尤其是在碳化硅領(lǐng)域，已經(jīng)成為該賽道最大投資者之一了。華為緣何對碳化硅如此看重？去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進的要求。進入新世紀以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來了新的發(fā)展動力。

雖然硅基器件在各自領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用，但硅基器件的研究與發(fā)展進入瓶頸期，尤其在中高壓水平，很難有所突破。包括SiC在內(nèi)的寬禁帶半導體材料的電力電子器件正在蓬勃發(fā)展，在光伏發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域開始逐步取代硅基電力電子器件。華為預計在2030年光伏逆變器的碳化硅滲透率將從目前的2%增長到70%以上，在充電基礎(chǔ)設施、電動汽車等新能源領(lǐng)域滲透率也超過80%，通信電源、服務器電源將全面推廣應用。

華為的光伏逆變器出貨量在全球居首，如果把握了SiC的供應，則能很好的對新能源終端器件市場進行把控。再者，華為要想深入布局“造車”，豈能少得了即將大放異彩的碳化硅器件產(chǎn)品。