中國首次實現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產，在以美、歐、日為主導的半導體領域形成突破。業(yè)內專家指出，這一突破有望緩解中國的能源危機。

  泰科天潤半導體科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二極管產品鑒定會暨新產品信息發(fā)布會20日在北京舉行。鑒定委員會認為該公司的量產工藝方法、產品性能達到了國際同類產品的先進水平。

  據(jù)悉，經過兩年攻關，泰科天潤研發(fā)的碳化硅肖特基二極管多個產品已成功量產，產品涵蓋600V—3300V等中高壓范圍。其中，600V/10A、1200V/20A等產品成品率達到國際先進水平。

  總經理陳彤介紹，利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作，“與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅電力芯片能夠大幅度減少電力設備體積和重量，能大幅降低各項設備系統(tǒng)的整體成本并提高系統(tǒng)的可靠性”。

  數(shù)據(jù)表明，屬于“寬禁帶”的第三代半導體的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同時，提高系統(tǒng)其他部件的功效，可節(jié)能20%至90%。

  中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會常務副理事長肖向鋒指出，這一成果對于煤炭、石油等資源越發(fā)緊缺的中國具有現(xiàn)實意義。

  “為應對能源危機，國家提出節(jié)能減排，電能的輸送、分配都離不開電力電子技術”，肖向鋒解釋說，現(xiàn)有的電子技術基于半導體硅材料器件，但受制于硅材料的物理性能，器件功耗大。碳化硅器件的研發(fā)、生產無疑可解“燃眉之急”。

  “我國功率器件產業(yè)整體落后美、歐、日等發(fā)達國家，關鍵技術裝備基本依賴國外”，陳彤在受訪時說，但在第三代半導體器件方面，國內研究機構和企業(yè)已有趕超之勢。

  他認為這得益于政府導向，國家863計劃新材料技術領域以及科技支撐計劃能源領域在2014年度備選項目征集指南中指明，要開展第三代半導體材料的關鍵技術、器件制備及研制電力電子芯片和器件等科研計劃。他們的“碳化硅電力電子器件產業(yè)化投資項目”也已被北京市海淀區(qū)向市科委推薦，申報“重大科技成果轉化落地培育”專項資金。

  肖向鋒亦提出三點要求，“提高自己團隊的技術水平，提高研發(fā)能力，健全生產線”。他希望以此為契機，將預計達千億元規(guī)模的中國碳化硅器件產業(yè)做起來。