新型導(dǎo)電型陶瓷研究報(bào)告(概論)
一般意義上的陶瓷材料與導(dǎo)電性是互不相干的,甚至更像是一對(duì)水火不容的冤家對(duì)頭。陶瓷材料一般具有極高的絕緣性,所以在很多電氣設(shè)施方面有著廣泛的應(yīng)用,如高壓絕緣環(huán)、絕緣襯板、各種接線端子絕緣套等。
傳統(tǒng)的導(dǎo)電材料如鐵、鋁、銅、銀、金、鉑等無(wú)一例外都是金屬,這是其天生的性質(zhì)所決定的,金屬導(dǎo)體應(yīng)用于世界上99%的電氣領(lǐng)域。而隨著科技的日益發(fā)展和新材料領(lǐng)域的不斷拓寬,傳統(tǒng)的金屬導(dǎo)體的局限性也日漸顯現(xiàn),如超高溫環(huán)境、高腐蝕環(huán)境、耐超高電壓擊穿環(huán)境等。在這些領(lǐng)域內(nèi),金屬導(dǎo)體并非不可使用,而是要以犧牲壽命為代價(jià),這無(wú)疑增加了使用者成本。舉個(gè)例子,單晶硅或多晶硅冶煉爐所使用的電極棒需要連續(xù)工作在1600攝氏度以上,這個(gè)溫度下傳統(tǒng)的金屬導(dǎo)體已經(jīng)被融化。又或者在一些電解行業(yè),由于加熱環(huán)境中可能存在各種腐蝕性氣體或液體,金屬導(dǎo)體不但要面對(duì)高溫的挑戰(zhàn),更要面對(duì)腐蝕性物質(zhì)的侵襲,對(duì)電極的損壞是極為嚴(yán)重的。
以硅冶煉行業(yè)為例,為了解決電極高溫融化問(wèn)題,很多企業(yè)將電極材料選為石墨,雖然短時(shí)間內(nèi)解決了融化問(wèn)題,但石墨在有氧環(huán)境中600度以上就開(kāi)始出現(xiàn)氧化,其本身的灰化效應(yīng)會(huì)對(duì)各類高純度硅產(chǎn)品造成不可逆的污染,這是比電極融化更嚴(yán)重的問(wèn)題。
為了解決這些問(wèn)題,人們開(kāi)始研究將陶瓷材料與導(dǎo)電性進(jìn)行結(jié)合,尋找一種更為優(yōu)良的金屬導(dǎo)電體的替代品。
目前市面上已經(jīng)出現(xiàn)了類似產(chǎn)品,其主要原理是在傳統(tǒng)的氧化鋁陶瓷材料表面涂上一層金屬涂層,以陶瓷為骨架,涂層為導(dǎo)體,實(shí)現(xiàn)部分導(dǎo)電性。由于這種導(dǎo)電陶瓷是利用表面的一層金屬物質(zhì)進(jìn)行導(dǎo)電,不可避免的會(huì)產(chǎn)生的嚴(yán)重的“集膚效應(yīng)”(不了解的同學(xué)請(qǐng)自行百度),其導(dǎo)電效率和壽命是相對(duì)較低的,很難進(jìn)行大規(guī)模推廣。
眾所周知,無(wú)壓燒結(jié)碳化硅陶瓷材料具備極高的耐溫性和耐腐蝕性,其化學(xué)穩(wěn)定性在各種材料中是極具優(yōu)勢(shì)的。如果能將無(wú)壓碳化硅陶瓷通過(guò)特殊工藝改進(jìn),使之保留原有優(yōu)勢(shì)的同時(shí)也能用于導(dǎo)電領(lǐng)域,這是否可行呢?答案是肯定的。
金蒙公司分公司通過(guò)不斷的技術(shù)攻關(guān),現(xiàn)已研發(fā)成功一種新型的可導(dǎo)電陶瓷材料。新材料以碳化硅為基體,通過(guò)特殊工藝將碳原子晶體以鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)均勻分布在碳化硅基體內(nèi)部,以碳化硼為穩(wěn)定元素,保證碳原子晶體鏈不會(huì)被碳化硅分子所隔斷,保證鏈完整,從而實(shí)現(xiàn)了良好的導(dǎo)電性。
這種材料不同于普通的涂覆類材料,是通體可導(dǎo)電。該材料體積密度保持在3.06以上,具備良好的機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性,有氧環(huán)境中耐高溫度可達(dá)1700度以上,耐腐蝕、耐摩擦,幾乎無(wú)灰化,不會(huì)造成二次污染。
這一新材料目前正在國(guó)內(nèi)多家大型硅冶煉企業(yè)進(jìn)行產(chǎn)品試驗(yàn)并已獲得初步認(rèn)可,相信在不遠(yuǎn)的將來(lái),這一新材料將會(huì)得到大規(guī)模應(yīng)用,不單是硅冶煉行業(yè),其他行業(yè)如有色金屬冶煉、電解等行業(yè)均會(huì)出現(xiàn)該新材料的身影。
山東金蒙新材料股份有限公司致力于各種新材料的研發(fā),以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)為企業(yè)注入生命力,為各類特殊領(lǐng)域材料應(yīng)用提供合理、科學(xué)的解決方案,助力中國(guó)新材料行業(yè)進(jìn)步。
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 綠碳化硅微粉的特點(diǎn)
- 國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離
- 國(guó)內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)
- 國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)
- 三種生長(zhǎng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹