碳化硅導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)明顯。就電動(dòng)汽車逆變器而言，功率器件是核心能量轉(zhuǎn)換單元，其損耗包含兩部分，導(dǎo)通損耗Econ和開(kāi)關(guān)損耗Esw。

碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導(dǎo)通損耗優(yōu)勢(shì)是比較明顯的，再結(jié)合輕載工況開(kāi)關(guān)損耗占比更大（碳化硅開(kāi)關(guān)損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應(yīng)用碳化硅MOS體現(xiàn)在效率Map上就是高效區(qū)面積比較大。

另外，碳化硅MOS打開(kāi)時(shí)雙向?qū)ǎ忠?guī)避了IGBT模塊在續(xù)流時(shí)，F(xiàn)RD的導(dǎo)通壓降比IGBT大的問(wèn)題，進(jìn)一步降低導(dǎo)通損耗。

碳化硅可降低整車能耗。根據(jù)海外機(jī)構(gòu)試驗(yàn)數(shù)據(jù)，按照WLTC工況（更接近實(shí)際城市工況）續(xù)航能力的提升，基于750VIGBT模塊及1200V碳化硅模塊仿真顯示，400V母線電壓下，由750VIGBT模塊替換為1200V碳化硅模塊，整車能耗降低6.9%；如果電壓提升至800V，整車能耗將進(jìn)一步降低7.6%。

碳化硅除了有效率優(yōu)勢(shì)外，還具有以下優(yōu)勢(shì)：

相同電壓、電流等級(jí)情況下，碳化硅MOS芯片面積比IGBT芯片要小，設(shè)計(jì)出的功率模塊功率密度更大，更小巧；

碳化硅芯片耐更高的溫度，理論上遠(yuǎn)超175℃；

高頻電源設(shè)計(jì)能夠縮小系統(tǒng)儲(chǔ)能器件的體積，例如大電感及大容量電容等。