2018年，特斯拉在Model3電驅(qū)主逆變器上，率先采用了意法半導(dǎo)體供應(yīng)的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開始逐漸成為市場(chǎng)發(fā)展的熱點(diǎn)。碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是支撐新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，對(duì)整車的主要技術(shù)指標(biāo)和整體性能有著重要影響。

碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。