碳化硅器件性能非常突出，但其生產(chǎn)過(guò)程可謂是困難重重。其產(chǎn)業(yè)鏈貫穿了材料、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝等各個(gè)環(huán)節(jié)。相對(duì)傳統(tǒng)硅基技術(shù)而言，寬禁帶功率器件由于采用了SiC半導(dǎo)體材料，在各關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)也會(huì)遇到新的問(wèn)題與挑戰(zhàn)。

SiC半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈

從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō)，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，最后在外延層上制造各類器件。傳統(tǒng)的碳化硅外延基于高品質(zhì)碳化硅單晶襯底，以實(shí)現(xiàn)晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位錯(cuò)、層錯(cuò)等）。

即是說(shuō)，制備出性能優(yōu)良的碳化硅單晶襯底是產(chǎn)業(yè)鏈上極為關(guān)鍵的一環(huán)！

襯底是功率器件的基礎(chǔ)。由于目前Si基功率器件生產(chǎn)廠商的大部分生產(chǎn)線支持4英寸以上的晶圓，因此4、6英寸及以上SiC襯底技術(shù)的成熟是SiC功率器件在所有重要領(lǐng)域大規(guī)模應(yīng)用的前提條件。