據(jù)碳化硅相關行業(yè)網(wǎng)站最新消息：目前，在全球LED芯片銷售排行上，日本日亞化學、美國CREE以及德國OSRAM位居前三甲。不過，隨著日本東芝公司計劃投資300億~500億日元擴張到LED領域，國內(nèi)LED照明產(chǎn)業(yè)也將迎來產(chǎn)業(yè)復蘇。

  眾所周知，長久以來作為LED的核心部件是“芯片”。其中，襯底材料和晶元生長技術又是LED芯片技術發(fā)展的關鍵。目前，在市面上常見的襯底材料主要有三種：藍寶石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(Sic)。其中，碳化硅微粉作為一種寬帶隙半導體材料，也是目前發(fā)展最為成熟的第三代半導體材料。由于碳化硅所具有的優(yōu)良的熱學、力學、化學和電學性質(zhì)，不但是制作高溫、高頻、大功率電子器件的最佳材料之一，同時又可以用作基于氮化鎵的藍光發(fā)光二極管的襯底材料，可廣泛應用在電力電子領域、微波器件領域和LED光電子領域。

  事實證明寬帶隙半導體材料碳化硅所制作的功率器件可以承受更高電源、更大電路、耗盡層可以做得更薄，因而工作速度更快、器件體積更小、重量更輕。其實在微波器件領域，碳化硅早在2006年就完全替代了藍寶石作為氮化鎵外延襯底。

  隨著國內(nèi)碳化硅企業(yè)研發(fā)力量和科研投入的不斷加強，碳化硅作為最重要的襯底材料未來在LED照明產(chǎn)業(yè)必將起到無可替代的作用。