近30年的SiC外延系統演變

Epigress熱壁式SiC外延生長系統

•單晶片2”直徑

•手動裝載和卸載外延片

•過程手動控制

•基于硅烷(SiH4)的工藝–不含氯

•增長率限制在10微米/小時左右

Aixtron暖壁系統

•多晶片6”直徑(8”)

•自動加載和卸載外延片

•配方控制過程

•基于氯硅烷的工藝

•(TCS)增長率通常為30微米/小時

•主要用于>30um的外延層

Epiluvac集群式熱壁系統

•最大直徑為8英寸的單晶片室

•腔室可以組合在一個集群設備中，用于不同的摻雜層（n、p型）

•腔室之間的晶片轉移發(fā)生在空閑溫度和真空下。

•外延片的自動加載鎖定加載、預熱、冷卻和卸載

•通過配方控制過程

•基于氯硅烷(TCS)的工藝證明生長速率超過100um/hr