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[常見問題解答]碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 2022-05-25 15:30 ]
碳化硅單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。 晶片的表面會有損傷，損傷源于本來晶體生長的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補(bǔ)、去除；對于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因?yàn)闀绊懫骷某善仿剩桓鼡Q晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補(bǔ)其實(shí)是再次生長，現(xiàn)在沒有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來提高總體材料
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[金蒙新材料百科]碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術(shù)[ 2022-03-17 14:52 ]
碳化硅晶片經(jīng)過清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì)，同時保證不引入新的雜質(zhì)，從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿足半導(dǎo)體下游客戶的要求。 傳統(tǒng)的硅襯底材料使用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗方法來去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。
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[金蒙新材料百科]低翹曲度碳化硅晶體切割技術(shù)難點(diǎn)[ 2022-03-16 15:44 ]
碳化硅的莫氏硬度為9.5，硬度與金剛石接近，只能用金剛石材料進(jìn)行切割，切割難度大，保證切割過程穩(wěn)定獲得低翹曲度的晶片是技術(shù)難點(diǎn)之一。 為了達(dá)到下游外延開盒即用的質(zhì)量水平，需要對碳化硅襯底表面進(jìn)行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并達(dá)到嚴(yán)苛的金屬、顆粒控制要求。 化學(xué)機(jī)械拋光屬于化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù)，碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層相對容易去除的軟質(zhì)層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機(jī)械作用下去除軟質(zhì)層，在化學(xué)作用和機(jī)械作用的交替進(jìn)行的過程中完成表面拋光，過程較為
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[行業(yè)資訊]碳化硅半導(dǎo)體納入國家“十四五”規(guī)劃重點(diǎn)支持領(lǐng)域[ 2022-03-11 15:24 ]
我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實(shí)施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。晶片（襯底）作為碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)材料，具有較高的應(yīng)用前景和產(chǎn)業(yè)價值，在我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。 碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術(shù)參數(shù)水平越高，其技術(shù)優(yōu)勢越明顯，長期以來，碳化硅晶片的核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達(dá)國家壟斷，這無疑突出了一個事實(shí)，即
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[行業(yè)資訊]晶盛機(jī)電年產(chǎn)40萬片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目3月開工[ 2022-03-04 09:30 ]
近日，由浙江晶盛機(jī)電股份有限公司總投資50億元建設(shè)的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目”落戶寧夏銀川。其中，一期預(yù)計3月開工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片。 晶盛機(jī)電主要圍繞硅、碳化硅、藍(lán)寶石三大主要半導(dǎo)體材料開展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍(lán)寶石生長能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目和年產(chǎn)80臺套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項(xiàng)目的公告披露，晶盛機(jī)電已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗(yàn)
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[行業(yè)資訊]碳化硅電力電子器件發(fā)展中的難題分析[ 2017-05-18 16:25 ]
1.碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一種肉眼都可以看得見的宏觀缺陷，在碳化硅晶體生長技術(shù)發(fā)展到能徹底消除微管缺陷之前，大功率電力電子器件就難以用碳化硅來制造。盡管優(yōu)質(zhì)晶片的微管密度已達(dá)到不超過15cm-2 的水平。但器件制造要求直徑超過100mm的碳化硅晶體，微管密度低于0.5cm-2 。 2.外延工藝效率低。碳化硅的氣相同質(zhì)外延一般要在1500℃以上的高溫下進(jìn)行。由于有升華的問題，溫度不能太高，一般不能超過1800℃，因而生長速率較低。液相外延溫度較低、速率較高，但產(chǎn)量較低。 3.摻雜工藝有特殊要求。如用擴(kuò)散
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[金蒙新材料百科]碳化硅晶片簡單介紹[ 2016-01-28 15:59 ]
碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。國內(nèi)獨(dú)家碳化硅單晶供應(yīng)商，在研發(fā)、技術(shù)、市場開發(fā)及商業(yè)運(yùn)作等方面處絕對領(lǐng)先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級SiC2晶體生長核心技術(shù)工藝，達(dá)到國際2001年先進(jìn)水平。
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[行業(yè)資訊]碳化硅晶片的發(fā)展之路[ 2015-01-15 16:00 ]
早年，全球市場上碳化硅晶片價格十分昂貴，一片2英寸碳化硅晶片的國際市場價格曾高達(dá)500美元(2006年)，但仍供不應(yīng)求。高昂的原材料成本占碳化硅半導(dǎo)體器件價格的10%以上，碳化硅晶片價格已成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。
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[行業(yè)資訊]國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)[ 2015-01-15 15:31 ]
金蒙新材料公司從相關(guān)渠道獲悉，天科合達(dá)與中科院專家合作研究，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底，并且形成了一條年產(chǎn)7萬片碳化硅晶片的生產(chǎn)線。
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[行業(yè)資訊]碳化硅晶片的市場狀況[ 2014-11-24 16:12 ]
早在上個世紀(jì)十代初，碳化硅半導(dǎo)體在物理、電子等方面的性能遠(yuǎn)優(yōu)于硅半導(dǎo)體這一特征便被廣泛認(rèn)知。經(jīng)過近五十的發(fā)展，硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為全球每近萬億美元的巨型產(chǎn)業(yè)，而以碳化硅(C)為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還正處于起步階段，2005全球C半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模為10億美元。這是因?yàn)樵谏蟼€世紀(jì)十代，單晶硅生長技術(shù)已經(jīng)漸趨成熟，而掌握碳化硅晶體生長技術(shù)只是十代末期之事。經(jīng)過數(shù)十不懈的努力，目前，全球只有少數(shù)的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)研發(fā)出了碳化硅晶體生長和加工技術(shù)。在產(chǎn)業(yè)化方面，只有以美國Cree公司為代表的少數(shù)幾家公司能夠提供碳化硅晶片，國內(nèi)的碳化硅晶片的需求全賴于進(jìn)口。
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[行業(yè)資訊]碳化硅制品遠(yuǎn)景一片光明[ 2014-08-30 08:45 ]
碳化硅半導(dǎo)體能應(yīng)對“極點(diǎn)環(huán)境”，據(jù)稱，碳化硅晶片乃至能夠承受住金星或太陽鄰近的熱度。
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